直線偏光Nd:YAGレーザーによる規則性配列微細Siドットの形成(半導体Si及び関連材料・評価)
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概要
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コヒーレントな直線偏光Nd:YAGパルスレーザーを試料に照射することにより溶融Si内に自発的に発生するレーザー誘導周期的エネルギー密度分布を利用し、位置と大きさを制御した規則性配列微細Siドットの形成に取り組んだ。Si酸化(SiO_2)膜上に膜厚10nmのアモルファスシリコン(a-Si)薄膜を超高真空蒸着装置により堆積し、直線偏光Nd:YAGレーザー照射によりa-Si薄膜を溶融させ、それと同時にレーザー誘導周期的エネルギー密度分布により溶融Si内に周期的な温度分布を形成し、溶融Siを線状に凝集させ、多結晶シリコン(poly-Si)細線を形成した。さらに、poly-Si細線を形成した基板を90℃回転させ、同様にレーザー照射を行うことにより、格子状に規則配列した微細Siドットを形成した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2005-12-14
著者
-
堀田 将
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
-
西岡 賢祐
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
-
堀田 將
北陸先端科学技術大学院大学材料科学研究科
-
Hayashi Shigenori
Semiconductor Equipment System Laboratory Hitachi Kokusai Electric Inc.
-
堀井 將
北陸先端科学技術大学院大学 材料科学研究科
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