SOIプラットフォーム組み込み用高密度メモリ : Twin transistor RAM(TT-RAM)(新メモリ技術とシステムLSI)
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概要
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本稿はSOIプラットフォームに適したメモリIPとして標準SOI-CMOSプロセス上に構築可能で、デジタルコンシューマ・モバイル・キャッシュメモリ・グラフィックス等の各種アプリケーションに要求される高速・低消費電力動作をスケーラブルに実現できるTwin transistor RAM(TT-RAM)を開発した。TT-RAMセルを用いた4Mビット試作メモリチップでは、90nmのSOI-CMOSプロセスを用いて、連続データ出力モードにおいて453MHzの高速動作を、さらにはランダムアクセス動作では108mW(@263MHz)の低消費動作(混載DRAM比51%減)を実現できた。さらには10.2mW(@56MHz)の超低消費動作モードも搭載し、これらのモードを単一コアで切り替え可能であることを確認した。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2007-04-05
著者
-
有本 和民
(株)ルネサステクノロジシステムソリューション統括本部システムコア技術統括部
-
有本 和民
三菱電機ulsi開発研究所
-
有本 和民
ルネサステクノロジ
-
有本 和民
株式会社ルネサステクノロジ システムコア技術統括部
-
森下 玄
三菱電機ULSI開発研究所
-
森下 玄
(株)ルネサステクノロジシステムコア技術統括部
-
堂坂 勝己
(株)ルネサステクノロジシステムコア技術統括部
-
林 勇
(株)ルネサステクノロジ
-
林 勇
(株)ルネサステクノロジシステムコア技術統括部
-
有本 和民
(株)ルネサステクノロジ設計開発本部システムコア技術統括部
-
堂阪 勝己
(株)ルネサステクノロジ システムコア技術統括部
-
有本 和民
(株)ルネサステクノロジ システムソリューション統括本部 システムコア技術統括部
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