超低電圧DRAMの技術動向
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概要
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DRAMは大容量化にともない電源電圧のスケーリング則に乗っ取った電圧化が推し進められて、現在Gレベルで1.5Vレンジのものが発表され、4G以降さらなる低電圧化が進んでいくと予想される(図1参照)。一方マルチメデイア時代に対応して、電池駆動によるモービルコンピュータ等携帯情報機器の飛躍的なのびが予想され、大容量化とは別に低電圧で動作する低消費電力DRAMへの要求が強まってきている。これらを背景にロジックチップでは1V以下の発表がいくつかなされているが、DRAMにおいてはサブ1Vレンジの超低電圧DRAM技術に関じては、1.2V程度の発表に留まっているのが現状である。ここでは、超低電圧DRAMの技術課題とアプリケーションからの要求仕様を明らかにし、サブ1V-DRAM実現のための技術手法について回路・デバイス両面から考察し、その可能性についての議論を行う。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1996-09-18
著者
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