山崎 彰 | 三菱電機 Ulsi技開セ
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概要
関連著者
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山崎 彰
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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山崎 彰
三菱電機 Ulsi技開セ
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堂阪 勝己
三菱電機(株)ULSI開発研究所
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渡邊 直也
株式会社ルネサステクノロジ
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熊野谷 正樹
三菱電機USLI開発センター
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山崎 彰
三菱電機ULSI開発研究所
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林 勇
(株)ルネサステクノロジシステムコア技術統括部
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野田 英行
(株)ルネサステクノロジシステムソリューション統括本部システムコア技術統括部
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阿部 英明
三菱電機(株)メモリ事業統括部
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渡邊 直也
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
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有本 和民
(株)ルネサステクノロジシステムソリューション統括本部システムコア技術統括部
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有本 和民
三菱電機ulsi開発研究所
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大谷 順
三菱電機(株)ulsi開発研究所
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熊野谷 正樹
三菱電機(株)ULSI開発研究所
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阿部 英明
三菱電機(株) システムlsi事業統括部
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山形 整人
三菱電機(株)ULSI開発研究所
-
山形 整人
三菱電機ULSI開発研究所
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野田 英行
三菱電機ULSI技術開発センター
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林 勇
三菱電機ULSI技術開発センター
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山田 通裕
三菱電機ULSI技術開発センター
-
山形 整人
三菱電機ulsi技術開発センター
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小川 俊之
三菱電機(株) メモリ事業統括部
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小川 俊行
三菱電機(株)北伊丹製作所メモリic第1部設計第3課
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山田 通裕
三菱電機 Ulsi技開セ
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那須 隆
三菱電機株式会社 システムlsi開発研究所
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有本 和民
三菱電機(株)ULSI開発研究所
-
藤野 毅
三菱電機(株) ULSI研究所
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岩田 俊一
株式会社ルネサステクノロジシステムコア技術統括部
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奥村 直人
株式会社ルネサステクノロジシステムコア技術統括部
-
野田 英行
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
-
林 勇
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
-
尾崎 英之
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
-
渡邊 直也
三菱電機USLI開発センター
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石原 和典
三菱電機(株) メモリ事業統括部
-
岩本 久
三菱電機ULSI開発研究所
-
荒木 岳史
三菱電機ULSI開発研究所
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澤田 誠二
三菱電機北伊丹製作所
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村井 泰光
三菱電機エンジニアリング
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小西 康弘
三菱電機ULSI開発研究所
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岩本 久
三菱電機(株)ulsi開発研究所
-
澤田 誠二
三菱電機(株)メモリ事業統括部
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荒木 岳史
三菱電機(株)ulsi開発研究所
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岩田 俊一
三菱電機株式会社LSI研究所
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村井 泰光
株式会社ルネサスデザイン
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小西 康弘
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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奥村 直人
三菱電機株式会社 システムLSI開発研究所
-
澤井 克典
三菱電機株式会社 システムLSI開発研究所
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佐藤 貢
三菱電機株式会社 システムLSI開発研究所
-
布村 康浩
三菱電機株式会社 システムLSI開発研究所
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橘高 義明
三菱電機株式会社 システムLSI開発研究所
-
平野 浩爾
三菱電機株式会社 システムLSI開発研究所
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山崎 彰
三菱電機株式会社 ULSI開発研究所
-
堂阪 勝己
三菱電機株式会社 ULSI開発研究所
-
堂阪 勝己
三菱電機ULSI開発研究所
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小川 俊行
三菱電機北伊丹製作所
-
小西 康弘
三菱電機(株)ulsi開発研究所
著作論文
- 3Dグラフィックスに適したRead/Write同時動作が可能な0.18um混載DRAMマクロ
- コントローラ内蔵CDRAMの開発[2] : アクティブプルアップ制御方式
- コントローラ内蔵CDRAMの開発[1] : リフレッシュ制御方式
- CPU直結型コントローラ内蔵 16M CDRAM
- 180MHz動作マルチプルレジスタ16MbシンクロナスDRAM
- 16MビットDRAM内蔵32ビットマイクロプロセッサ
- コントロ-ラ付き16MキャッシュDRAM (特集"半導体")
- 画像用キャッシュDRAM
- Slightly Boostingを用いた5.3GB/sロジック混載用SDRAMコアの開発
- Slightly Boostingを用いた5.3GB/sロジック混載用SDRAMコアの開発
- Slightly Boostingを用いた5.3GB/sロジック混載用SDRAMコアの開発
- 0.18μm eDRAMコアの開発による0.18μm DRAM混載システムLSIコア技術の確立 (特集 LSI)
- 0.15〜0.13μmDRAM混載ロジック技術 (特集 IT社会に貢献する半導体)