180MHz動作マルチプルレジスタ16MbシンクロナスDRAM
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概要
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マルチプルレジスタ方式により180MHzで動作する16MビットSDRAMを試作した。この方式はアレイからレジスタまでデータを一括して転送するためアレイを制御するコントロール信号を外部クロックに非同期に、かつ標準DRAMと同じタイミングで制御できる。これは動作周波数の高速化には有効である。エリアペナルティは標準DRAMに比べて5.4%増に抑えた。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-10-20
著者
-
渡邊 直也
株式会社ルネサステクノロジ
-
山崎 彰
三菱電機(株)ULSI技術開発センター
-
渡邊 直也
三菱電機USLI開発センター
-
熊野谷 正樹
三菱電機USLI開発センター
-
岩本 久
三菱電機ULSI開発研究所
-
荒木 岳史
三菱電機ULSI開発研究所
-
山崎 彰
三菱電機ULSI開発研究所
-
澤田 誠二
三菱電機北伊丹製作所
-
村井 泰光
三菱電機エンジニアリング
-
小西 康弘
三菱電機ULSI開発研究所
-
岩本 久
三菱電機(株)ulsi開発研究所
-
澤田 誠二
三菱電機(株)メモリ事業統括部
-
荒木 岳史
三菱電機(株)ulsi開発研究所
-
村井 泰光
株式会社ルネサスデザイン
-
小西 康弘
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
-
山崎 彰
三菱電機 Ulsi技開セ
-
小西 康弘
三菱電機(株)ulsi開発研究所
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