木下 充矢 | (株)ルネサステクノロジ
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概要
関連著者
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木下 充矢
(株)ルネサステクノロジ
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谷崎 哲志
(株)ルネサステクノロジシステムソリューション統括本部システムコア技術統括部
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有本 和民
立命館大学理工学部
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有本 和民
三菱電機ulsi開発研究所
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有本 和民
三菱電機株式会社ulsi技術開発センター
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堂坂 勝己
(株)ルネサステクノロジシステムコア技術統括部
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築出 正樹
三菱電機ULSI開発研究所
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天野 照彦
三菱電機株式会社ulsi技術開発センター
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山内 忠昭
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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木下 充矢
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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堂阪 勝巳
三菱電機株式会社ULSI技術開発センター
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木下 充矢
三菱電機ULSI開発研究所
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谷崎 哲志
三菱電機ULSI開発研究所
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藤野 毅
三菱電機ULSI開発研究所
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天野 照彦
ルネサスエレクトロニクス株式会社
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有本 和民
(株)ルネサステクノロジシステムソリューション統括本部システムコア技術統括部
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行天 隆幸
(株)ルネサステクノロジシステムソリューション統括本部
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谷崎 哲志
(株)ルネサステクノロジシステムソリューション統括本部
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TAITO Yasuhiko
Renesas Technology Corporation
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帶刀 恭彦
(株)ルネサステクノロジ
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行天 隆幸
株式会社ルネサステクノロジシステムソリューション統括本部
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伊賀上 太
株式会社ルネサスデバイスデザイン
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伊賀上 太
(株)ルネサスデバイスデザイン
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藤野 毅
(株)ルネサステクノロジ
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有本 和民
(株)ルネサステクノロジ システムソリューション統括本部 システムコア技術統括部
著作論文
- Virtual Socket Architectureを用いたEmbedded DRAMの設計手法
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- データ保持電流低減に適した256Mb DRAMアレイアーキテクチャ
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- センス同期式書き込み/読出し方式回路を搭載したSRAM I/F混載DRAMコア(MRAM,不揮発メモリ,メモリ,一般)