C-11-3 MOSFET しきい値電圧ばらつき評価用試験回路

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 2003-09-10

著者

• 寺田 和夫

  広島市大学院情報科学研究科

• 寺田 和夫

  広島市立大学大学院情報科学研究科

• 永光 正知

  広島市立大学情報科学部

• 寺田 和夫

  広島市立大学

関連論文

• 依頼講演 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析 (集積回路)
• C-11-4 しきい値電圧ばらつきに対するハロー構造の影響(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
• C-10-5 しきい値電圧バラツキのチャネル寸法依存性(C-10. 電子デバイス,一般セッション)
• C-11-4 コンダクタンス測定によるDDDMOSFETのパラメータ抽出(C-11.シリコン材料・デバイス,一般講演)
• パラメータ抽出用のデータ数削減手法とその応用(プロセス・デバイス・回路・シミュレーション及び一般)
• パラメータ抽出用のデータ数削減手法とその応用(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• C-11-3 MOSFET しきい値電圧ばらつき評価用試験回路
• 遺伝的アルゴリズムを用いた,パラメータ抽出におけるグルーピング : BSIM3v3のモデルパラメータ抽出(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 'SBB'SOI MOSFETの設計指針とその性能予測
• 'SBB' SOI MOSFETの設計指針とその性能予測
• 新しいDTMOS回路構造の動作評価
• しきい値電圧抽出方法の比較
• オフセットゲートMOSFETの回路モデル
• オフセットMOSFETの実効チャネル長の基板電圧依存性
• オフセットゲートを有するMOSFETの回路シミュレーションモデル
• 並列接続MOSFETを用いたしきい値電圧標準偏差の測定評価
• 実効チャネル長抽出における測定誤差
• 'SBB'SOI MOSFETの設計指針とその性能予測
• 'SBB' SOI MOSFETの設計指針とその性能予測
• C-11-1 しきい値電圧ばらつきに対するチャネル濃度不均一性の影響(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
• C-11-2 電流の測定データにおけるはずれ値除去の自動化(C-11.シリコン材料・デバイス,一般セッション)
• 遺伝的アルゴリズムを用いた,パラメータ抽出におけるグルーピング : BSIM3v3のモデルパラメータ抽出(プロセス・デバイス・回路シミュレーション及び一般)
• 並列接続MOSFETを用いたしきい値電圧標準偏差の測定評価
• 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析(デバイス,低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 「電流立上り電圧」ばらつきに起因する微細MOSトランジスタのランダム電流ばらつきの解析
• 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• Takeuchiプロットを用いたHigh-k/Metal-Gate MOSFETのばらつき評価(低電圧/低消費電力技術,新デバイス・回路とその応用)
• 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析
• Takeuchi プロットを用いた High-k/Metal-Gate MOSFET のばらつき評価
• 微細MOSトランジスタにおけるDIBLおよび電流立上り電圧ばらつきの統計解析
• Takeuchi プロットを用いた High-k/Metal-Gate MOSFET のばらつき評価

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク