'SBB' SOI MOSFETの設計指針とその性能予測
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概要
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ボディ電位をゲート電圧及びドレイン電流によって自動的に制御する'Self-Body-Biased'('SBB')SOI MOSFETの動作をデバイスシミュレーションによって調べた。'SBB'SOI MOSFETの基板不純物濃度を変化させて、ゲート電圧Vg=0V時の漏れ電流(Ioff)及びVg=ドレイン電圧Vd時の駆動電流(Ion)を調べた。その結果からCMOS回路として最適な'SBB'SOI MOSFETのデバイスパラメータを予測した。最適なCMOS'SBB'SOIインバータは、電源電圧0.9Vにおいて、通常のbulk CMOSインバータよりも伝播遅延を約30%低減できることが明らかになった(Wn/Wp=1μm/2μm, Lg=0.25μm、C_1=1pF)。
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 2000-09-15
著者
-
寺田 和夫
広島市大学院情報科学研究科
-
寺田 和夫
広島市立大学大学院情報科学研究科
-
寺内 衛
広島市立大学情報科学部
-
船越 七郎
広島市立大学大学院情報科学研究科情報工学専攻
-
寺田 和夫
広島市立大学
-
寺内 衛
広島市立大学大学院情報科学研究科
-
寺内 衛
広島工業大学情報学部
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