多値メモリ用センスアンプの検討

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概要

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• 近年、フラッシュメモリの大容量化手法として多値記憶方式が注目されている。高速書込みを実現するには書込/検証動作の並列化が有効であり、更に多値メモリでは狭セルVt分布の多値レベル書込みが必須となるので、検証はビット毎に行う必要がある。ビット毎検証のためには多くのセンスアンプとコンパレータをセルアレイに隣接して配置する為、回路を小型化する必要がある。この目的に適したフィードバック型の多値メモリ用センスアンプを提案する。

• 社団法人電子情報通信学会の論文
• 1996-03-11

著者

• 竹島 俊夫

  NEC

• 竹島 俊夫

  NEC ULSIデバイス開発研究所

• 大川 真賢

  NEC ULSIデバイス開発研究所

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