4GビットDRAM (半導体デバイス特集) -- (コンピュ-タ関連デバイス)
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
- 1.8V 800-Mb/s/pin DDR2及び2.5-V 400-Mb/s/pin DDR1の2仕様を1チップで実現した1Gbit DRAMの開発
- 1.8V 800-Mb/s/Pin DDR2及び2.5-V 400-Mb/s/pin DDR1の2仕様を1チップで実現した1Gbit DRAMの開発(ディジタル・情報家電,放送用,ゲーム機器用システムLSI及び一般)
- C-12-72 12ns 8MバイトDRAMオンチップ2次キャッシュ
- 12ns 8MバイトDRAMオンチップ2次キャッシュ (半導体デバイス特集) -- (コンピュータ関連デバイス)
- 多分割アレイ構造を有する30ns 256Mb DRAM
- ファイル応用1GbDRAM
- A 4-level Storage 4Gb DRAM
- 2.5ns Clock Access 250MHz 256MSDRAM
- DRAMにおけるチップサイズ縮小時のFMM方式の検討
- ファイル用1GビットDRAM (半導体デバイス特集) -- (コンピュ-ティング系システム用デバイス)
- ギガビットDRAM用分離ドライバ型センスアンプとチャージリサイクル法
- 1Gb DRAMにおけるアレイノイズの解析
- DRAMにおけるフレキシブルマルチマクロ方式の効果
- 負電圧ワード線方式におけるサブワードドライバ回路の検討
- 高性能アプリケーション向け0.13umCMOSロジックベース混載DRAMマクロの開発
- 時分割多値センス方式を用いた4Gb DRAM
- 4GビットDRAM (半導体デバイス特集) -- (コンピュ-タ関連デバイス)