Fe_3Si/Geの界面構造によるSBHとスピン電流の変調 : 第一原理計算による理論的検討(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
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概要
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第一原理計算を用いて、スピントロニクス材料としての応用が期待されているFe_3Si/Ge(111)の清浄界面における原子配置の安定性とショットキーバリア高さについて調べた。その結果、その結果、ショットキー障壁が実現している界面は、Ge-Fe結合が存在せずGe-Si結合のみが存在していることが分かった。Ge-Si結合のみが実現する場合、Ge(111)界面に最も近い層に来るのはFe原子となり、Si原子は界面最近傍ではなく界面Ge原子のダングリングボンドの先に位置した時が安定となる。
- 2013-06-11
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