表面界面の光学応答スペクトル
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
金属/Hf系高誘電率絶縁膜界面の統一理論 : ゲート金属の設計指針(先端CMOSデバイス・プロセス技術)
-
金属/Si界面の偏析層によるショットキーバリアの変調 : 第一原理計算による化学的傾向の検討(ゲート絶縁薄膜、容量膜、機能膜及びメモリ技術)
-
30aYE-4 半導体表面におけるアミノ酸の電子状態変化(表面界面電子物性(金属・有機))(領域9)
-
金属/絶縁体界面の統一理論
-
金属/絶縁体界面の物理 : ショットキーバリアと原子混晶化
-
17pTF-7 シリコン膜成長における塩素誘起積層欠陥の形成過程の研究
-
28aYQ-3 Si(111)表面における塩素の吸着脱離過程 : 第一原理計算による考察その2
-
ドープした金属シリサイドの電子構造に関する理論的検討
-
反射率差分光による表面/界面の評価と制御 : Si酸化・InAs ぬれ層の最近のトピック
-
光を使った表面・界面の観測 : -反射率差分光の物理-
-
ドープした金属シリサイドの電子構造に関する理論的検討(ショートプレゼンテーション,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
-
ナノコンタクト系の過渡ループ電流の研究(非平衡系の物理-非平衡ゆらぎと集団挙動-,研究会報告)
-
ドーピングによるシリサイドの仕事関数の変調 : シリサイドの物理に基づく理論(IEDM特集(先端CMOSデバイス・プロセス技術))
-
金属/Si界面の構造乱れによるショットキーバリア変調 : 第一原理計算による理論的検討(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
-
表面界面の光学応答スペクトル
-
第一原理計算による半導体ヘテロ構造の物理性設計 -その現状と限界-
-
金属/(Si/Ge)界面の構造乱れとSBH変調の関係 : 第一原理計算による理論的検討(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
-
21aFB-5 3サイト分子架橋系におけるループ電流に関する解析(21aFB 量子細線・微小接合,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
-
表面界面の光学応答スペクトル
-
C-10-5 第一原理計算によるII-VI族化合物半導体の酸素ドープのバンド構造の解析(C-10.電子デバイス)
-
25aWD-7 ZnSe/GaAsヘテロ界面における欠陥発生の第一原理計算による検討(25aWD 結晶成長,表面界面ダイナミクス,領域9(表面・界面,結晶成長分野))
-
Fe_3Si/Geの界面構造によるSBHとスピン電流の変調 : 第一原理計算による理論的検討(高誘電率膜,界面制御,メモリ技術,ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
-
24pWE-9 カゴメ型量子ドット列における励起子の数値計算II(24pWE 領域4,領域5合同 量子井戸・細線・ドット・励起子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在分野))
-
金属/(Si/Ge)界面の構造乱れとSBH変調の関係 : 第一原理計算による理論的検討
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク