土渕 香織 | 九大クリーン実験ステーション

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概要

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• 同名の論文著者
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関連著者

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• 土渕 香織

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著作論文

• 19pAR-10 SiCのPイオン注入によって生じた表面歪み源の形状と電気特性(19pAR 格子欠陥・ナノ構造(金属・半導体・表面・界面・微粒子),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

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