2a-TA-5 Si(113)面上の電子線照射欠陥の電子線回折
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
26aPS-59 超流動ヘリウム中におけるZnOナノ微粒子の作製(ポスターセッション,領域5,光物性)
-
24aZD-9 成長中光照射によるZnSe擬似格子整合膜の構造変化(24aZD 領域10,領域4合同招待講演,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
-
24aPS-111 合金触媒を用いたシリコンナノワイヤー成長(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
-
24pXC-2 VLS成長によるシリコンナノワイヤーの臨界直径(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
-
15aPS-25 荒れた表面における吸着原子の表面拡散係数(領域 9)
-
12aXG-12 触媒 CVD 法によるシリコンナノワイヤー成長初期過程の定量解析(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)
-
GaAs結晶中のヘリウム・バブルからの透過電子回折 : 結晶内部表面構造
-
環境制御・透過型電子顕微鏡の現状と展望
-
27p-H-10 GaAs中のSi集合体の構造 II
-
26a-T-1 Ge, Siの電子線照射誘起欠陥の構造
-
3a-M-3 電子照射された半導体中の欠陥の空間分布
-
4a-TB-5 Geの電子照射損傷と点欠陥集合体
-
4a-TB-2 III-V族半導体の電子照射損傷と点欠陥集合体
-
2a-KL-8 電子照射されたIII-V半導体中の点欠陥集合体と点欠陥のふるまい
-
14a-L-13 III-V族半導体の電子照射損傷と点欠陥集合体
-
29p-H-1 ゲルマニウムの電子照射と空孔型欠陥集合体
-
30p-SG-16 電子照射ゲルマニウム中の欠陥集合体
-
4p-NJ-15 ゲルマニウムの高温電子照射損傷
-
4a-L-11 ゲルマニウムの電子照射損傷と点欠陥の性質
-
25p-Q-4 Si{113}面上の格子間原子集合体の構造
-
6p-W-2 混晶半導体の暗視野像のchemical sensitivity
-
3p-E4-8 Cu-Pd合金の不整合構造の形成過程
-
28p-N-3 合金における長周期構造
-
28aXT-5 ラフネスを導入したSi表面上におけるAu原子の拡散(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
-
28pPSB-44 Si 表面ナノホールが存在する表面での Au 集合体の形成
-
30p-ZN-11 高濃度にSiをドープしたGaAs結晶中のSi集合体の構造
-
ボート法によるGaAs結晶成長時の固液界面形状と欠陥構造 : 評価
-
暗視野TEM法によるVPE-GaAs_xP_中の濃度変動の解析 : 薄膜
-
3a-X-7 気相エピタキシャル法で作られたGaAs_xP_/GaPの透過電子顕微鏡観察
-
7a-S-10 シリコン中の拡張欠陥のEELS
-
29p-N-11 重水素及びヘリウムイオン照射によるシリコンの非晶質化
-
30p-YC-5 高分解能電子顕微鏡で見た半導体中の水素誘起欠陥
-
4p-YG-2 重水素照射されたシリコン中の新しいタイプの拡張欠陥
-
29a-P-4 Geにおける水素集合体の解離過程
-
12p-DK-10 シリコンにおける水素誘起欠陥の構造
-
24a-T-9 IV族及びIII-V族半導体における水素誘起欠陥
-
5a-Z-11 軽ガスイオン照射によってできた半導体中の板状欠陥
-
2p-F-10 Si・Ge・III-V族半導体のイオン照射欠陥
-
LPE法で作られたAl_xGa_As系ヘテロ接合のTEMによる評価 : エピタキシーII
-
電子照射によるシリコンのアモルファス化とその素過程
-
19aTG-7 シリコンにおける照射誘起アモルファス化の温度依存性
-
29a-ZB-3 Si・Geにおける水素誘起板状欠陥の回折コントラスト
-
30p-YK-8 自然超格子(Al,Ga,In)Pの反位相境界の形成メカニズム
-
29a-G-10 自然超格子GaInP/AlGaInPの反位相境界
-
27a-K-9 電子照射されたIII-V半導体中の点欠陥集合体の発生と空間分布
-
OS4(5)-19(OS04W0319) Measurement of Local Minute Strain by Using Synchrotron X-Ray Microbeam
-
Evaluation of Lattice Strain in Silicon Substrate Beneath Aluminum Conductor Film Using High-Resolution X-Ray Microbeam Diffractometry
-
29a-D-11 非晶貭Si, Geホイスカの結晶化
-
4p-N-10 Si,Ge ホイスカーの成長並びに不純物の影響
-
シリコン, ゲルマニウム・ウィスカーの成長機構と構造変化 : ホイスカー
-
ゲルマニウム・ウィスカーの気相成長 : ホイスカー
-
1a-BA-4 シリコン,ゲルマニウム・ウィスカーの気相成長
-
10p-E-7 シリコン・ゲルマニウムの非晶質ウイスカーの形態とそれらの性質
-
10p-E-6 非晶質シリコンウイスカーの成長
-
シリコン非晶質ウィスカーの成長過程 : ホイスカー・基礎
-
シリコン・ゲルマニウム非晶質ウィスカーの形状とその性質 : ホイスカー・基礎
-
7a-N-9 シリコンひげ結晶の成長とその物性
-
8p-H-1 非晶質シリコンのひげ状成長
-
31aYG-7 シリコン {113} 面欠陥の plan-view 高分解能電子顕微鏡観察
-
28pXH-5 ZnSeナノワイヤーの結晶成長機構(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
-
SiのRadiation damageとそのAnnealing : 半導体
-
GeとSiのRadiation damageとそのannesling II : 半導体
-
28pPSB-66 水素終端シリコン表面テンプレート上におけるナノ触媒の形成過程
-
23p-L-9 電子線またはγ線照射N型Geの回復過程
-
5a-G-13 N型ゲルマニウムの放射線損傷とその焼鈍
-
Siの放射線損傷とその焼鈍 : 格子欠陥
-
28a-T-7 シリコン(111)面上に生成したシリコン・ナノウィスカーの構造
-
30a-YK-2 シリコン(111)表面上でのシリコン・ナノウィスカーの生成
-
30p-E-11 半導体中の微小金属析出物のEELS測定
-
InPにおける点欠陥の拡散過程
-
27p-N-4 GaPの電子線照射誘起欠陥のTEM内その場分光測定
-
4a-YG-12 TEM法によるGaP中の点欠陥移動度の評価
-
28p-P-6 GaPの電子線誘起欠陥
-
4p-YG-1 中性子照射Si中の格子欠陥の高分解能電子顕微鏡観察
-
5p-A3-3 III-V化合物半導体のイオン照射欠陥の電子顕微鏡による研究
-
5p-K-9 シリコンにおける非晶質と構造多型
-
Siウィスカーにおける構造多型と非晶質 : VPEとホイスカー
-
7p-S-3 Siウィスカーの多型成長と非晶質Si繊維の構造
-
新結晶構造ゲルマニウム・ウィスカーの成長
-
9p-P-4 Siの放射線損傷
-
Siの放射線損傷とそのAnnealing : 格子欠陥
-
22pWA-3 CoPtCrB磁性膜中のBサイトの詳価(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
-
20aPS-4 MBE 法による ZnSe ナノホイスカーの成長
-
20pXA-7 金シリサイド液滴形成条件下にある表面の高温 STM 観察
-
2a-TA-5 Si(113)面上の電子線照射欠陥の電子線回折
-
1p-TE-1 『シリコンの点欠陥と自己拡散はどこまで解明されたか』企画の趣旨
-
シリコンの点欠陥と自己拡散
-
4a-ZA-5 シリコンの自己拡散の担い手は何か
-
30p-H-2 シリコン・ゲルマニウムの電子照射損傷と自己拡散
-
自己組織化作用によるシリコン表面ナノ穴形成 (連載技術特集 よく分かるナノテクノロジー(2)ナノ加工)
-
3a-N-10 N型ゲルマニウムの放射線損傷と不純物効果
-
タイトル無し
-
タイトル無し
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク