25p-Q-4 Si{113}面上の格子間原子集合体の構造
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
26aPS-59 超流動ヘリウム中におけるZnOナノ微粒子の作製(ポスターセッション,領域5,光物性)
-
24aZD-9 成長中光照射によるZnSe擬似格子整合膜の構造変化(24aZD 領域10,領域4合同招待講演,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
-
24aPS-111 合金触媒を用いたシリコンナノワイヤー成長(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
-
24pXC-2 VLS成長によるシリコンナノワイヤーの臨界直径(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
-
15aPS-25 荒れた表面における吸着原子の表面拡散係数(領域 9)
-
12aXG-12 触媒 CVD 法によるシリコンナノワイヤー成長初期過程の定量解析(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)
-
環境制御・透過型電子顕微鏡の現状と展望
-
26a-T-1 Ge, Siの電子線照射誘起欠陥の構造
-
25p-Q-4 Si{113}面上の格子間原子集合体の構造
-
6p-W-2 混晶半導体の暗視野像のchemical sensitivity
-
3p-E4-8 Cu-Pd合金の不整合構造の形成過程
-
28p-N-3 合金における長周期構造
-
28aXT-5 ラフネスを導入したSi表面上におけるAu原子の拡散(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
-
28pPSB-44 Si 表面ナノホールが存在する表面での Au 集合体の形成
-
ボート法によるGaAs結晶成長時の固液界面形状と欠陥構造 : 評価
-
暗視野TEM法によるVPE-GaAs_xP_中の濃度変動の解析 : 薄膜
-
電子照射によるシリコンのアモルファス化とその素過程
-
19aTG-7 シリコンにおける照射誘起アモルファス化の温度依存性
-
OS4(5)-19(OS04W0319) Measurement of Local Minute Strain by Using Synchrotron X-Ray Microbeam
-
Evaluation of Lattice Strain in Silicon Substrate Beneath Aluminum Conductor Film Using High-Resolution X-Ray Microbeam Diffractometry
-
31aYG-7 シリコン {113} 面欠陥の plan-view 高分解能電子顕微鏡観察
-
28pXH-5 ZnSeナノワイヤーの結晶成長機構(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
-
28pPSB-66 水素終端シリコン表面テンプレート上におけるナノ触媒の形成過程
-
22pWA-3 CoPtCrB磁性膜中のBサイトの詳価(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
-
20aPS-4 MBE 法による ZnSe ナノホイスカーの成長
-
20pXA-7 金シリサイド液滴形成条件下にある表面の高温 STM 観察
-
2a-TA-5 Si(113)面上の電子線照射欠陥の電子線回折
-
自己組織化作用によるシリコン表面ナノ穴形成 (連載技術特集 よく分かるナノテクノロジー(2)ナノ加工)
-
タイトル無し
-
タイトル無し
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク