3p-E4-8 Cu-Pd合金の不整合構造の形成過程

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1988-09-16

著者

• 竹田 精治

  阪大教養

• 竹田 精治

  阪大・教養

• Kulik J.

  カリフォルニア大

• de Fontaine

  カリフォルニア大

関連論文

• 26aPS-59 超流動ヘリウム中におけるZnOナノ微粒子の作製(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 24aZD-9 成長中光照射によるZnSe擬似格子整合膜の構造変化(24aZD 領域10,領域4合同招待講演,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24aPS-111 合金触媒を用いたシリコンナノワイヤー成長(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 24pXC-2 VLS成長によるシリコンナノワイヤーの臨界直径(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15aPS-25 荒れた表面における吸着原子の表面拡散係数(領域 9)
• 12aXG-12 触媒 CVD 法によるシリコンナノワイヤー成長初期過程の定量解析(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)
• 環境制御・透過型電子顕微鏡の現状と展望
• 12p-DL-2 シリコンの電子線照射欠陥の電子流密度依存性
• 27p-H-10 GaAs中のSi集合体の構造 II
• 26a-T-1 Ge, Siの電子線照射誘起欠陥の構造
• 4a-TB-5 Geの電子照射損傷と点欠陥集合体
• 4a-TB-2 III-V族半導体の電子照射損傷と点欠陥集合体
• 2a-KL-8 電子照射されたIII-V半導体中の点欠陥集合体と点欠陥のふるまい
• 25p-Q-4 Si{113}面上の格子間原子集合体の構造
• 6p-W-2 混晶半導体の暗視野像のchemical sensitivity
• 3p-E4-8 Cu-Pd合金の不整合構造の形成過程
• 28p-N-3 合金における長周期構造
• 28aXT-5 ラフネスを導入したSi表面上におけるAu原子の拡散(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• 28pPSB-44 Si 表面ナノホールが存在する表面での Au 集合体の形成
• 30p-ZN-11 高濃度にSiをドープしたGaAs結晶中のSi集合体の構造
• ボート法によるGaAs結晶成長時の固液界面形状と欠陥構造 : 評価
• 暗視野TEM法によるVPE-GaAs_xP_中の濃度変動の解析 : 薄膜
• 3a-X-7 気相エピタキシャル法で作られたGaAs_xP_/GaPの透過電子顕微鏡観察
• 29a-P-4 Geにおける水素集合体の解離過程
• 12p-DK-10 シリコンにおける水素誘起欠陥の構造
• 24a-T-9 IV族及びIII-V族半導体における水素誘起欠陥
• 5a-Z-11 軽ガスイオン照射によってできた半導体中の板状欠陥
• 2p-F-10 Si・Ge・III-V族半導体のイオン照射欠陥
• 電子照射によるシリコンのアモルファス化とその素過程
• 19aTG-7 シリコンにおける照射誘起アモルファス化の温度依存性
• 27a-K-9 電子照射されたIII-V半導体中の点欠陥集合体の発生と空間分布
• OS4(5)-19(OS04W0319) Measurement of Local Minute Strain by Using Synchrotron X-Ray Microbeam
• Evaluation of Lattice Strain in Silicon Substrate Beneath Aluminum Conductor Film Using High-Resolution X-Ray Microbeam Diffractometry
• 31aYG-7 シリコン {113} 面欠陥の plan-view 高分解能電子顕微鏡観察
• 28pXH-5 ZnSeナノワイヤーの結晶成長機構(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• 28pPSB-66 水素終端シリコン表面テンプレート上におけるナノ触媒の形成過程
• 4a-YG-12 TEM法によるGaP中の点欠陥移動度の評価
• 28p-P-6 GaPの電子線誘起欠陥
• 5p-A3-3 III-V化合物半導体のイオン照射欠陥の電子顕微鏡による研究
• 22pWA-3 CoPtCrB磁性膜中のBサイトの詳価(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 20aPS-4 MBE 法による ZnSe ナノホイスカーの成長
• 20pXA-7 金シリサイド液滴形成条件下にある表面の高温 STM 観察
• 2a-TA-5 Si(113)面上の電子線照射欠陥の電子線回折
• 自己組織化作用によるシリコン表面ナノ穴形成 (連載技術特集 よく分かるナノテクノロジー(2)ナノ加工)
• タイトル無し
• タイトル無し
• 29p-Q-8 気相エピタキシャル成長したGaAs_xP_/GaPの格子欠陥(29pQ 結晶成長)

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク