非晶質シリコン・ゲルマニウム,ホイスカーにおける結晶化 : ホイスカー
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 日本結晶成長学会の論文
- 1981-07-15
著者
関連論文
- 7a-E-10 P-type Geの放射線損傷
- LPE法で作られたAl_xGa_As系ヘテロ接合のTEMによる評価 : エピタキシーII
- Si中のimpurity-vacancy complexの移動とエントロピー : 格子欠陥
- 6a-M-6 低温照射したn-type Geの焼鈍
- 6a-KM-6 P型Geの電子線照射による欠陥
- 10p-U-5 10MeV電子線照射によるn-type Geの損傷
- 30a-U-13 n-type Ge の電子線照射によるEc-02eV level
- 6p-E-10 n-type Geの電子線照射による欠陥
- 非晶質シリコン・ゲルマニウム,ホイスカーにおける結晶化 : ホイスカー
- 29a-D-11 非晶貭Si, Geホイスカの結晶化
- 4p-N-10 Si,Ge ホイスカーの成長並びに不純物の影響
- シリコン,ゲルマニウムホイスカの成長
- シリコン, ゲルマニウム・ウィスカーの成長機構と構造変化 : ホイスカー
- ゲルマニウム・ウィスカーの気相成長 : ホイスカー
- 6a-AG-10 ゲルマニウム ウィスカーの成長と構造
- 1a-BA-4 シリコン,ゲルマニウム・ウィスカーの気相成長
- 10p-E-7 シリコン・ゲルマニウムの非晶質ウイスカーの形態とそれらの性質
- 10p-E-6 非晶質シリコンウイスカーの成長
- シリコン非晶質ウィスカーの成長過程 : ホイスカー・基礎
- シリコン・ゲルマニウム非晶質ウィスカーの形状とその性質 : ホイスカー・基礎
- 7a-N-9 シリコンひげ結晶の成長とその物性
- 8p-H-1 非晶質シリコンのひげ状成長
- Geの放射線損傷とその焼鈍-lifetime : 格子欠陥
- 1p-TE-1 『シリコンの点欠陥と自己拡散はどこまで解明されたか』企画の趣旨
- 30p-H-2 シリコン・ゲルマニウムの電子照射損傷と自己拡散
- 3a-TA-8 P-type Geの電子線照射による欠陥の焼銃
- 10a-Q-9 P型Geの電子線照射による欠陥の焼鈍
- P-type Ge中の電子線照射による欠陥 : 格子欠陥
- P-type Ge中の点欠陥 : 格子欠陥