6p-E-10 n-type Geの電子線照射による欠陥

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 1971-04-06

著者

• 巽 勇吉

  大阪大学教養部物理教室

• 斉藤 晴男

  阪大・教養

• 福岡 登

  阪大・教養

• 巽 勇吉

  阪大・教養

• 斉藤 晴男

  鳴門教育人学・自然系

• 福岡 登

  鳴門教育大学学校教育学部

関連論文

• 3a-N-11 γ線を照射したP型Geのannealing
• 30a-U-12 P型 Ge 中のγ線照射による欠陥
• 6p-E-9 P型Geのγ線照射損傷
• 7a-E-9 γ線照射を受けたP型Geの焼鈍
• 3a-TA-10 Co60γ線照射を受けたP型Ge
• 15a-G-7 ^Coγ線照射を受けたP型Geの焼鈍
• 4a-L-5 電子線照射したp型Geの焼鈍
• 7a-E-10 P-type Geの放射線損傷
• 小学校高学年理科学習において児童の興味・関心に及ぼす教師の影響
• 29a-RC-2 CZ-Si中に生成する酸素ドナーの性質
• 物理領域を嫌う生徒の増加とその要因の研究[I]
• 1p-KN-13 四角酸の相転移のX線による研究
• 30a-W-6 CsSnBr_3の逐次相転移 II
• 30p-SC-14 CsSnBr_3の相転移
• Si中のimpurity-vacancy complexの移動とエントロピー : 格子欠陥
• 4a-P-3 Si-E centerのannealing
• 14p-R-13 MgO粉末のE.S.R
• Si-E centerのAnnealing : 格子欠陥
• Siの放射線損傷 II(annealing) : 格子欠陥
• Siの放射線損傷 I(再結合中心) : 格子欠陥
• C125 小学校教員養成課程に於ける物理学カリキュラム : 物理嫌いの子供を作らないために
• コンピュータを利用した重力加速度測定装置の精度
• 14a-L-7 NTD-Ge中の欠陥
• 29p-H-3 Ge中の酸素を含む照射欠陥の性質
• F. F. Y. Wang編: Impurity Doping Processes in Silicon, North-Holland, Amsterdam and New York, 1981, viii+644ページ, 23×16cm, 36,400円(Materials Processing; Theory and Practices, Vol. 2).
• 1a-T-10 p型Ge中に電子線照射によって作られるエネルギー準位の性質
• 5a-NJ-2 DLTS法によるGeの照射欠陥の研究
• 3p-C-12 熱中性子照射によるゲルマニウム中の格子間原子の研究
• 30p-J-6 NTD-Siの焼鈍
• 31p-BB-17 低温におけるゲルマニウム中の点欠陥の挙動
• 5p-M-7 ゲルマニウムの4K〜14K Stage
• 6a-Q-3 Te-doped Geの電子線照射による欠陥
• 6a-M-6 低温照射したn-type Geの焼鈍
• 3p-M-5 電子線照射したGeの焼鈍
• 6a-KM-6 P型Geの電子線照射による欠陥
• 23p-L-7 電子線照射されたn-type GeのEc-0.2eV Level
• 5a-G-12 電子線照射によるn-type Ge中のE_c-0.2eV level
• 10p-U-5 10MeV電子線照射によるn-type Geの損傷
• 30a-U-13 n-type Ge の電子線照射によるEc-02eV level
• 6p-E-10 n-type Geの電子線照射による欠陥
• 非晶質シリコン・ゲルマニウム,ホイスカーにおける結晶化 : ホイスカー
• 29a-D-11 非晶貭Si, Geホイスカの結晶化
• 4p-N-10 Si,Ge ホイスカーの成長並びに不純物の影響
• シリコン,ゲルマニウムホイスカの成長
• シリコン, ゲルマニウム・ウィスカーの成長機構と構造変化 : ホイスカー
• ゲルマニウム・ウィスカーの気相成長 : ホイスカー
• 6a-AG-10 ゲルマニウム ウィスカーの成長と構造
• 1a-BA-4 シリコン,ゲルマニウム・ウィスカーの気相成長
• 10p-E-7 シリコン・ゲルマニウムの非晶質ウイスカーの形態とそれらの性質
• 10p-E-6 非晶質シリコンウイスカーの成長
• シリコン非晶質ウィスカーの成長過程 : ホイスカー・基礎
• シリコン・ゲルマニウム非晶質ウィスカーの形状とその性質 : ホイスカー・基礎
• 7a-N-9 シリコンひげ結晶の成長とその物性
• 8p-H-1 非晶質シリコンのひげ状成長
• n型Geの放射線損傷 : 格子欠陥
• Geの放射線損傷とその焼鈍-lifetime : 格子欠陥
• 9p-P-4 Siの放射線損傷
• Siの放射線損傷とそのAnnealing : 格子欠陥
• J. W. Corbett and G. D. Watkins編: Radiation Effects in Semiconductors, Gordon and Breach, New York and London, 1971, 440 ページ, 27×20cm
• 電子線照射をしたP型Geの焼鈍 : 格子欠陥
• p型ゲルマニウムの放射線損傷 : 格子欠陥
• 8p-B-6 Siの放射線損傷とそのAnnealing
• 3a-TA-8 P-type Geの電子線照射による欠陥の焼銃
• 10a-Q-9 P型Geの電子線照射による欠陥の焼鈍
• P-type Ge中の電子線照射による欠陥 : 格子欠陥
• P-type Ge中の点欠陥 : 格子欠陥
• 4a-P-1 電子線照射によるP-type Ge中の欠陥
• 15a-G-6 In-doped Geの電子線照射による欠陥
• Geの放射線損傷の焼鈍 : 格子欠陥

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク