4a-L-5 電子線照射したp型Geの焼鈍
スポンサーリンク
概要
著者
関連論文
-
1p-M-3 徐冷した低転位密度Al単結晶中の残留原子空孔
-
1a-D-2 原子空孔源としての格子間原子型転位ループの昇温速度依存
-
25p-H-10 高完全度AI単結晶中の格子間原子型転位
-
27p-K-3 ゲルマニウム単結晶中の不純物原子に対する水素Passivation
-
28p-QE-17 Gd-Sc合金の磁性
-
2a-KL-6 電子線照射した高純度ゲルマニウムのDLTS
-
30p-J-1 高純度Ge中の複空孔形成の方向依存性
-
Li_xMn_Se化合物の磁化率
-
31p-BB-14 n型ゲルマニウムの120K,170K stage II
-
4p-F-16 MnSeの磁性
-
5p-M-8 電子線照射したn型Geの100K〜200Kの易動度の回復
-
6a-Q-2 n型ゲルマニウムの120K,170K Stage
-
MnSeの磁性〔英文〕
-
3a-N-11 γ線を照射したP型Geのannealing
-
30a-U-12 P型 Ge 中のγ線照射による欠陥
-
6p-E-9 P型Geのγ線照射損傷
-
7a-E-9 γ線照射を受けたP型Geの焼鈍
-
3a-TA-10 Co60γ線照射を受けたP型Ge
-
15a-G-7 ^Coγ線照射を受けたP型Geの焼鈍
-
4a-L-5 電子線照射したp型Geの焼鈍
-
7a-E-10 P-type Geの放射線損傷
-
酸素を含むゲルマニウムに対する水素あるいは窒素注入の影響
-
2p-Z-9 窒素注入した酸素dopedゲルマニウム
-
29a-RC-2 CZ-Si中に生成する酸素ドナーの性質
-
27p-ZN-12 高完全度Al単結晶中の格子間原子型転移ループの動的挙動
-
26p-T-7 原子空孔源としての格子間原子型転位ループの成長
-
30a-K-9 原子空孔源として成長した格子間原子型転位ループの凍結
-
29p-K-11 酸素を含むGeに対する水素注入の影響
-
1p-KN-13 四角酸の相転移のX線による研究
-
30a-W-6 CsSnBr_3の逐次相転移 II
-
30p-SC-14 CsSnBr_3の相転移
-
Si中のimpurity-vacancy complexの移動とエントロピー : 格子欠陥
-
4a-P-3 Si-E centerのannealing
-
14p-R-13 MgO粉末のE.S.R
-
Si-E centerのAnnealing : 格子欠陥
-
Siの放射線損傷 II(annealing) : 格子欠陥
-
Siの放射線損傷 I(再結合中心) : 格子欠陥
-
C125 小学校教員養成課程に於ける物理学カリキュラム : 物理嫌いの子供を作らないために
-
コンピュータを利用した重力加速度測定装置の精度
-
29p-H-3 Ge中の酸素を含む照射欠陥の性質
-
F. F. Y. Wang編: Impurity Doping Processes in Silicon, North-Holland, Amsterdam and New York, 1981, viii+644ページ, 23×16cm, 36,400円(Materials Processing; Theory and Practices, Vol. 2).
-
1a-T-10 p型Ge中に電子線照射によって作られるエネルギー準位の性質
-
5a-NJ-2 DLTS法によるGeの照射欠陥の研究
-
3p-C-12 熱中性子照射によるゲルマニウム中の格子間原子の研究
-
30p-J-6 NTD-Siの焼鈍
-
31p-BB-17 低温におけるゲルマニウム中の点欠陥の挙動
-
5p-M-7 ゲルマニウムの4K〜14K Stage
-
6a-Q-3 Te-doped Geの電子線照射による欠陥
-
3p-M-5 電子線照射したGeの焼鈍
-
6a-KM-6 P型Geの電子線照射による欠陥
-
23p-L-7 電子線照射されたn-type GeのEc-0.2eV Level
-
5a-G-12 電子線照射によるn-type Ge中のE_c-0.2eV level
-
10p-U-5 10MeV電子線照射によるn-type Geの損傷
-
30a-U-13 n-type Ge の電子線照射によるEc-02eV level
-
6p-E-10 n-type Geの電子線照射による欠陥
-
6p-D-3 Geの放射線損傷
-
n型Geの放射線損傷 : 格子欠陥
-
Geの放射線損傷とその焼鈍-lifetime : 格子欠陥
-
9p-P-4 Siの放射線損傷
-
Siの放射線損傷とそのAnnealing : 格子欠陥
-
J. W. Corbett and G. D. Watkins編: Radiation Effects in Semiconductors, Gordon and Breach, New York and London, 1971, 440 ページ, 27×20cm
-
電子線照射をしたP型Geの焼鈍 : 格子欠陥
-
p型ゲルマニウムの放射線損傷 : 格子欠陥
-
190Kおよび室温でガンマ-線照射したp型ゲルマニウムの焼鈍〔英文〕
-
10a-Q-8 P型GeのCo60γ線照射
-
8p-B-6 Siの放射線損傷とそのAnnealing
-
29p-H-2 H^+イオン注入または電子線照射した高純度ゲルマニウム
-
3a-TA-8 P-type Geの電子線照射による欠陥の焼銃
-
10a-Q-9 P型Geの電子線照射による欠陥の焼鈍
-
P-type Ge中の電子線照射による欠陥 : 格子欠陥
-
P-type Ge中の点欠陥 : 格子欠陥
-
4a-P-1 電子線照射によるP-type Ge中の欠陥
-
15a-G-6 In-doped Geの電子線照射による欠陥
-
Geの放射線損傷の焼鈍 : 格子欠陥
-
3a-PS-36 酸化物超伝導体BYCOの焼結前の圧縮による効果(低温(酸化物超伝導体))
-
2p-M2-12 低転位密度アルミニウム単結晶中のヘリカル転位の形成機購(格子欠陥)
もっと見る
閉じる
スポンサーリンク