福岡 登 | 阪大教養

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概要

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• 斉藤 晴男

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  鳴門教育人学・自然系

• 福岡 登

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著作論文

• 4a-L-5 電子線照射したp型Geの焼鈍
• 29p-H-3 Ge中の酸素を含む照射欠陥の性質
• F. F. Y. Wang編: Impurity Doping Processes in Silicon, North-Holland, Amsterdam and New York, 1981, viii+644ページ, 23×16cm, 36,400円(Materials Processing; Theory and Practices, Vol. 2).
• 1a-T-10 p型Ge中に電子線照射によって作られるエネルギー準位の性質
• 6a-KM-6 P型Geの電子線照射による欠陥
• 10p-U-5 10MeV電子線照射によるn-type Geの損傷
• 6p-D-3 Geの放射線損傷
• Geの放射線損傷とその焼鈍-lifetime : 格子欠陥
• 電子線照射をしたP型Geの焼鈍 : 格子欠陥
• 10a-Q-9 P型Geの電子線照射による欠陥の焼鈍

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