福岡 登 | 鳴門教育大学学校教育学部
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概要
関連著者
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福岡 登
鳴門教育大学学校教育学部
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斉藤 晴男
鳴門教育人学・自然系
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福岡 登
阪大・教養
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斉藤 晴男
阪大・教養
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巽 勇吉
大阪大学教養部物理教室
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福岡 登
阪大教養
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福岡 登
鳴門教育大学
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斉藤 晴男
阪大教養
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巽 勇吉
阪大・教養
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斉藤 晴男
鳴門教育大
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巽 勇吉
阪大教養
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土田 亨
阪大・教養
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永野 和男
鳴門教育大学
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中田 和彦
大阪府池田市立石橋小学校
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米田 稔
岡理大・理
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奥村 清
鳴門教育大学
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奥村 清
鳴門教育大学学校教育学部
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渡邉 重義
鳴門教育大学
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長船 准児
香川県観音寺市立観音寺東小学校
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永野 和男
鳴門教育大
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米田 稔
鳴門教育大
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宮村 玲子
鳴門教育大
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大宮 輝雄
徳島県立城東高等学校
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奥村 英樹
鳴門教育大学学校教育学部
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齊藤 晴男
阪大・教養
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神戸 祥之
阪大教養
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Cleland J.W.
Oah Ridge National Laboratory
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Young R.T.
Oah Ridge National Laboratory
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斎藤 晴男
阪大・教養
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齊藤 晴男
阪大教養
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神戸 祥之
倉紡
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奥村 清
徳島文理大学工学部環境システム工学教室
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Okumura Kiyoshi
Department Of Natural Science Naruto University Of Education
著作論文
- 小学校高学年理科学習において児童の興味・関心に及ぼす教師の影響
- 29a-RC-2 CZ-Si中に生成する酸素ドナーの性質
- 物理領域を嫌う生徒の増加とその要因の研究[I]
- コンピュータを利用した重力加速度測定装置の精度
- 14a-L-7 NTD-Ge中の欠陥
- 29p-H-3 Ge中の酸素を含む照射欠陥の性質
- F. F. Y. Wang編: Impurity Doping Processes in Silicon, North-Holland, Amsterdam and New York, 1981, viii+644ページ, 23×16cm, 36,400円(Materials Processing; Theory and Practices, Vol. 2).
- 1a-T-10 p型Ge中に電子線照射によって作られるエネルギー準位の性質
- 5a-NJ-2 DLTS法によるGeの照射欠陥の研究
- 3p-C-12 熱中性子照射によるゲルマニウム中の格子間原子の研究
- 30p-J-6 NTD-Siの焼鈍
- 31p-BB-17 低温におけるゲルマニウム中の点欠陥の挙動
- 5p-M-7 ゲルマニウムの4K〜14K Stage
- 6a-Q-3 Te-doped Geの電子線照射による欠陥
- 6a-M-6 低温照射したn-type Geの焼鈍
- 3p-M-5 電子線照射したGeの焼鈍
- 6a-KM-6 P型Geの電子線照射による欠陥
- 23p-L-7 電子線照射されたn-type GeのEc-0.2eV Level
- 5a-G-12 電子線照射によるn-type Ge中のE_c-0.2eV level
- 10p-U-5 10MeV電子線照射によるn-type Geの損傷
- 30a-U-13 n-type Ge の電子線照射によるEc-02eV level
- 6p-E-10 n-type Geの電子線照射による欠陥