4a-P-1 電子線照射によるP-type Ge中の欠陥
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1968-04-02
著者
関連論文
- 3a-N-11 γ線を照射したP型Geのannealing
- 30a-U-12 P型 Ge 中のγ線照射による欠陥
- 6p-E-9 P型Geのγ線照射損傷
- 7a-E-9 γ線照射を受けたP型Geの焼鈍
- 3a-TA-10 Co60γ線照射を受けたP型Ge
- 15a-G-7 ^Coγ線照射を受けたP型Geの焼鈍
- 4a-L-5 電子線照射したp型Geの焼鈍
- 7a-E-10 P-type Geの放射線損傷
- 29a-RC-2 CZ-Si中に生成する酸素ドナーの性質
- 1p-KN-13 四角酸の相転移のX線による研究
- 30a-W-6 CsSnBr_3の逐次相転移 II
- 30p-SC-14 CsSnBr_3の相転移
- Si中のimpurity-vacancy complexの移動とエントロピー : 格子欠陥
- 4a-P-3 Si-E centerのannealing
- 14p-R-13 MgO粉末のE.S.R
- Si-E centerのAnnealing : 格子欠陥
- Siの放射線損傷 II(annealing) : 格子欠陥
- Siの放射線損傷 I(再結合中心) : 格子欠陥
- C125 小学校教員養成課程に於ける物理学カリキュラム : 物理嫌いの子供を作らないために
- コンピュータを利用した重力加速度測定装置の精度
- 14a-L-7 NTD-Ge中の欠陥
- 29p-H-3 Ge中の酸素を含む照射欠陥の性質
- 1a-T-10 p型Ge中に電子線照射によって作られるエネルギー準位の性質
- 5a-NJ-2 DLTS法によるGeの照射欠陥の研究
- 3p-C-12 熱中性子照射によるゲルマニウム中の格子間原子の研究
- 30p-J-6 NTD-Siの焼鈍
- 31p-BB-17 低温におけるゲルマニウム中の点欠陥の挙動
- 5p-M-7 ゲルマニウムの4K〜14K Stage
- 6a-Q-3 Te-doped Geの電子線照射による欠陥
- 6a-M-6 低温照射したn-type Geの焼鈍
- 3p-M-5 電子線照射したGeの焼鈍
- 6a-KM-6 P型Geの電子線照射による欠陥
- 23p-L-7 電子線照射されたn-type GeのEc-0.2eV Level
- 5a-G-12 電子線照射によるn-type Ge中のE_c-0.2eV level
- 10p-U-5 10MeV電子線照射によるn-type Geの損傷
- 30a-U-13 n-type Ge の電子線照射によるEc-02eV level
- 6p-E-10 n-type Geの電子線照射による欠陥
- n型Geの放射線損傷 : 格子欠陥
- Geの放射線損傷とその焼鈍-lifetime : 格子欠陥
- 9p-P-4 Siの放射線損傷
- Siの放射線損傷とそのAnnealing : 格子欠陥
- J. W. Corbett and G. D. Watkins編: Radiation Effects in Semiconductors, Gordon and Breach, New York and London, 1971, 440 ページ, 27×20cm
- 電子線照射をしたP型Geの焼鈍 : 格子欠陥
- p型ゲルマニウムの放射線損傷 : 格子欠陥
- 8p-B-6 Siの放射線損傷とそのAnnealing
- 3a-TA-8 P-type Geの電子線照射による欠陥の焼銃
- 10a-Q-9 P型Geの電子線照射による欠陥の焼鈍
- P-type Ge中の電子線照射による欠陥 : 格子欠陥
- P-type Ge中の点欠陥 : 格子欠陥
- 4a-P-1 電子線照射によるP-type Ge中の欠陥
- 15a-G-6 In-doped Geの電子線照射による欠陥
- Geの放射線損傷の焼鈍 : 格子欠陥