Li_xMn_<1-x>Se化合物の磁化率
スポンサーリンク
概要
著者
-
伊藤 隆
島根大学理学部物理学科物理学教室
-
伊藤 一義
島根大・理
-
伊藤 一義
島根大学理学部物理学科物理学教室
-
渡部 眞行
島根大学理学部数学科数学教室
-
伊藤 一義
島根大・文理
-
渡部 眞行
島根大学理学部物理学科
-
伊藤 一義[他]
島根大学理学部数学科数学教室
関連論文
- 1p-M-3 徐冷した低転位密度Al単結晶中の残留原子空孔
- 1a-D-2 原子空孔源としての格子間原子型転位ループの昇温速度依存
- 25p-H-10 高完全度AI単結晶中の格子間原子型転位
- 30p-PSA-35 窒素侵入型NdFe_Zr化合物の磁性
- Gd-Y合金のアンティフェイズ磁区構造
- 徐冷した高完全度アルミニウム単結晶中の過剰原子空孔
- 27p-K-3 ゲルマニウム単結晶中の不純物原子に対する水素Passivation
- Gd-Sc合金単結晶の磁性
- 28p-QE-17 Gd-Sc合金の磁性
- Gd-Y-Sc合金の結晶磁気異方性
- 3p-PS-83 Gd-Y-Sc合金単結晶の転移点近傍の磁性
- 2a-KL-6 電子線照射した高純度ゲルマニウムのDLTS
- 1p-KL-6 低転位密度Al単結晶中のヘリカル転位
- ツリウムの磁性におよぼす水素の効果
- 水素イオンを注入したゲルマニウムのDLTS測定
- 11p-Y-17 Gd-Y-Sc合金単結晶の磁性
- 12a-K-2 徐冷した低転位密度Al単結晶中の微小空孔集合体 II
- 30p-J-1 高純度Ge中の複空孔形成の方向依存性
- Li_xMn_Se化合物の磁化率
- 31p-BB-14 n型ゲルマニウムの120K,170K stage II
- 4p-F-16 MnSeの磁性
- 5p-M-8 電子線照射したn型Geの100K〜200Kの易動度の回復
- 6a-Q-2 n型ゲルマニウムの120K,170K Stage
- MnSeの磁性〔英文〕
- 3a-N-11 γ線を照射したP型Geのannealing
- 30a-U-12 P型 Ge 中のγ線照射による欠陥
- 6p-E-9 P型Geのγ線照射損傷
- 7a-E-9 γ線照射を受けたP型Geの焼鈍
- 3a-TA-10 Co60γ線照射を受けたP型Ge
- 15a-G-7 ^Coγ線照射を受けたP型Geの焼鈍
- 4a-L-5 電子線照射したp型Geの焼鈍
- 酸素を含むゲルマニウムに対する水素あるいは窒素注入の影響
- 2p-Z-9 窒素注入した酸素dopedゲルマニウム
- 27p-ZN-12 高完全度Al単結晶中の格子間原子型転移ループの動的挙動
- 26p-T-7 原子空孔源としての格子間原子型転位ループの成長
- 30a-K-9 原子空孔源として成長した格子間原子型転位ループの凍結
- 29p-K-11 酸素を含むGeに対する水素注入の影響
- 低転位密度アルミニウム単結晶における原子空孔の生成
- 気相成長したSnO_2単結晶の評価
- ゲルマニウム中の酸素の関係する点欠陥に対する水素パシベーション
- 電子線照射した高純度ゲルマニウム中の深い欠陥準位
- 28a-Q-3 Gd-Y-Lu合金単結晶の磁性
- Bi_2(Sr_Ca_)_3(Cu_M_x)_2O_(M=Fe,Co,Ni,Zn)の超伝導特性
- 高T_c Ba-Y-Cu-O超伝導の焼結前の圧縮による効果
- 190Kおよび室温でガンマ-線照射したp型ゲルマニウムの焼鈍〔英文〕
- 10a-Q-8 P型GeのCo60γ線照射
- 29p-H-2 H^+イオン注入または電子線照射した高純度ゲルマニウム
- マイクロ波抵抗率測定のための空洞摂動法
- 2p-W-29 遷移金属カルコゲナイドのマイクロ波伝導
- Li_2VSe_2の常磁性共鳴と磁化率
- Gd_Y_Lu_における,らせんスピン反強磁性磁区
- 3a-PS-36 酸化物超伝導体BYCOの焼結前の圧縮による効果(低温(酸化物超伝導体))
- 2p-M2-12 低転位密度アルミニウム単結晶中のヘリカル転位の形成機購(格子欠陥)