24aCC-7 触媒反応環境下における金ナノ粒子の構造変化(24aCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 2012-03-05

著者

• 吉田 秀人

  大阪大学大学院理学研究科

• 竹田 精治

  大阪大学大学院理学研究科

• 内山 徹也

  大阪大学大学院理学研究科

• 春田 正毅

  首都大学東京都市環境学部

• 竹田 精治

  大阪大学・大学院理学研究科

• 内山 徹也

  阪大院理

• 春田 正毅

  首都大東京

• Takeda Shigeru

  National Laboratory For High Energy Physics

• 吉田 秀人

  阪大産研

• 竹田 精治

  阪大産研

• 桑内 康文

  阪大産研

関連論文

• 酸化セリウムに担持した白金と金のナノ粒子の高分解能環境TEM観察
• 金クラスターによる水素解離反応
• 26pYH-1 SiCナノワイヤ/Auナノ粒子ネットワークにおける抵抗スイッチング(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• ナノ粒子化による金の触媒作用創出 : 現代の錬金術
• 26aYF-5 TEM-EELSを用いたシリコンナノワイヤーのRadiative Surface Plasmonの研究(X線・粒子線(電子線),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 22aTD-10 TEM-EELSを用いたシリコンナノワイヤーの価電子励起スペクトルの表面効果の研究(格子欠陥・ナノ構造(炭素・ナノ構造),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 25aYK-6 TEM-EELS/XESによるシリコンナノワイヤーの電子構造の研究(25aYK 格子欠陥・ナノ構造(微粒子・ナノ構造・炭素物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 20aYN-4 シリコン・ナノワイヤーの価電子励起過程のTEM-EELS分析(格子欠陥・ナノ構造(分光法・炭素系物質),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 26pYH-2 電気的ブレイクダウンによるシリコンナノチェイン/カーボンナノチューブ変換(ナノチューブ・ナノワイヤ,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pWA-10 SiCナノワイヤにおける積層シーケンスの統計的性質(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 26aPS-59 超流動ヘリウム中におけるZnOナノ微粒子の作製(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 24aZD-9 成長中光照射によるZnSe擬似格子整合膜の構造変化(24aZD 領域10,領域4合同招待講演,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24aPS-111 合金触媒を用いたシリコンナノワイヤー成長(表面・界面, 結晶成長,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 28pXM-2 SiCナノワイヤーの電子線ホログラフィー(X線・粒子線(電子線))(領域10)
• 22aXA-3 SiC 一次元ナノ構造の内部ポテンシャル
• 24pXC-2 VLS成長によるシリコンナノワイヤーの臨界直径(ナノワイヤ・ナノチューブ,領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 15aPS-25 荒れた表面における吸着原子の表面拡散係数(領域 9)
• 12aXG-12 触媒 CVD 法によるシリコンナノワイヤー成長初期過程の定量解析(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)
• 特集「顕微鏡法による材料開発のための微細構造研究最前線(9)」 : -先端顕微鏡法開発がもたらす材料科学の新たな展開-企画にあたって
• 金の極微細化による触媒機能の創出
• 24aYK-3 有機ガスの電子エネルギー損失分光(24aYK X線・粒子線(電子線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• GaAs結晶中のヘリウム・バブルからの透過電子回折 : 結晶内部表面構造
• 19pPSB-37 酸化チタン表面の原子構造と電子状態 : Au/TiO_2界面にむけて
• 29pPSA-15 ルチル型TiO_2(110)面の電子構造
• 24pPSA-41 TiO_2の結晶構造と電子状態 : Au/TiO_2界面に向けて
• 高圧力・高分解能タイプの環境TEMの開発と応用
• 環境制御・透過型電子顕微鏡の現状と展望
• 27p-H-10 GaAs中のSi集合体の構造 II
• 26a-T-1 Ge, Siの電子線照射誘起欠陥の構造
• 27pRB-2 第一原理計算によるAu/CeO_2(111)-3×3界面の構造安定性に関する酸素分圧効果(27pRB 格子欠陥・ナノ構造(転位・表面・界面),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pWA-5 第一原理計算によるAu/CeO_2(111)-3×3界面の原子・電子構造(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• メソ孔チタノシリケートに担持した金ナノ粒子によるプロピレンの気相エポキシ化
• 25aYK-5 カーボンナノチューブ生成における不純物添加効果の環境制御型TEMによる解析(格子欠陥・ナノ構造(炭素),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 28pYH-7 Pt/CeO_2触媒のガス中環境TEM観察(微粒子・クラスター,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22pWA-9 Au/CeO_2触媒の反応ガス中高分解能・環境TEM観察(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 22pWA-8 CO雰囲気下でのAu/TiO_2触媒の高分解能その場環境TEM観察(22pWA 格子欠陥・ナノ構造(電子状態・表面界面・転位・面欠陥),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 21aTG-7 カーボンナノチューブ生成における合金触媒の電子顕微鏡観察(ナノチューブ・ナノワイヤー,表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• シリコン双晶ナノ粒子の高分解能電子顕微鏡観察 : 回転に伴う像の連続変化
• 29pPSB-59 自己アフィンSiCナノワイヤの自己形成(29pPSB 領域11ポスターセッション,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 28aXT-5 ラフネスを導入したSi表面上におけるAu原子の拡散(格子欠陥・ナノ構造)(領域10)
• 28pPSB-44 Si 表面ナノホールが存在する表面での Au 集合体の形成
• 30p-ZN-11 高濃度にSiをドープしたGaAs結晶中のSi集合体の構造
• 金ナノ粒子触媒のCO酸化活性における担体効果
• 21世紀のゴールドラッシュ
• 触媒研究のための収差補正・環境制御型透過電子顕微鏡の開発 (第107回触媒討論会B講演予稿)
• 7a-S-10 シリコン中の拡張欠陥のEELS
• 29p-N-11 重水素及びヘリウムイオン照射によるシリコンの非晶質化
• 30p-YC-5 高分解能電子顕微鏡で見た半導体中の水素誘起欠陥
• 4p-YG-2 重水素照射されたシリコン中の新しいタイプの拡張欠陥
• 29a-P-4 Geにおける水素集合体の解離過程
• 12p-DK-10 シリコンにおける水素誘起欠陥の構造
• 27p-K-6 半導体の電子線及びイオン照射誘起2次欠陥の構造
• 24a-T-9 IV族及びIII-V族半導体における水素誘起欠陥
• 5a-Z-11 軽ガスイオン照射によってできた半導体中の板状欠陥
• 2p-F-10 Si・Ge・III-V族半導体のイオン照射欠陥
• 実環境における広い濃度範囲のCOの常温酸化除去 : 金触媒と白金触媒との比較
• 20pRB-7 金属ナノ触媒からのカーボンナノチューブ成長の高分解能環境TEMその場観察(20pRB 領域10シンポジウム:TEMによる最先端局所構造解析,領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 18aRJ-4 環境制御型透過電子顕微鏡を用いたカーボンナノチューブ成長その場観察(ナノチューブ・構造・物性,領域7,分子性固体・有機導体)
• 24aYF-4 マルチアフィン半導体ナノワイヤの生成(確率過程・確率モデル,領域11(統計力学,物性基礎論,応用数学,力学,流体物理))
• 12aXG-13 成長雰囲気中における SWNT の TEM 像シミュレーション(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)
• 12aXG-11 SiC ナノワイヤ直径変動の複雑性とスケーリング(ナノチューブ・ナノワイヤ, 領域 9)
• 29pPSA-63 ナノワイヤ成長にみられる複雑な直径変動(領域11ポスターセッション)
• 28pPSB-67 SiC bamboo 構造の電子構造
• 電子照射によるシリコンのアモルファス化とその素過程
• 19aTG-7 シリコンにおける照射誘起アモルファス化の温度依存性
• 28pYQ-10 シリコン表面ナノホールのSTM観察
• 23aYP-8 シリコンにおけるアモルファス化の素過程
• 23pTA-9 シリコン表面ナノホールの形成機構
• 25aT-9 シリコンナノホールの極低温での生成過程
• 25aN-14 シリコンの電子照射アモルファス化を用いたフォトニック結晶
• 25aYL-2 シリコンにおける低温電子照射誘起の欠陥の構造と熱的安定性
• 25aYL-1 電子照射で生成されたアモルファス・シリコンの構造物性
• 28p-ZA-11 シリコンにおける電子線照射効果の低温(4K)その場高分解能TEM観察
• 28p-ZA-10 シリコンおける電子線照射誘起の非晶質化
• 霧化型励起酸素発生器の基礎研究
• 17aTG-5 ZnSe薄膜中のV字型積層欠陥の構造
• Output Power Enhancement of a Chemical Oxygen-Iodine Laser by Predissociated Iodine Injection
• 化学酸素沃素レｰザｰ(Chemical Oxygen Iodine Laser : COIL)の高圧力動作
• OS4(5)-19(OS04W0319) Measurement of Local Minute Strain by Using Synchrotron X-Ray Microbeam
• Evaluation of Lattice Strain in Silicon Substrate Beneath Aluminum Conductor Film Using High-Resolution X-Ray Microbeam Diffractometry
• Formation of Parallel X-Ray Microbeam and Its Application
• 金/酸化チタン, 金/酸化セリウム系触媒による低温水性ガスシフト反応
• 気相グラフティング法による金超微粒子担持触媒の調製
• 金超微粒子担持触媒のEELS測定
• 金超微粒子担持触媒のTEM観察 -金微粒子-チタニア担体の方位関係-
• 実環境下でのプロセス・特性評価のための収差補正・環境制御型透過電子顕微鏡とその応用 (特集 触媒化学への(S)TEM技術の応用)
• 高分子担持金ナノ粒子の触媒活性
• 触媒研究のための収差補正・環境制御型透過電子顕微鏡の開発
• エチレンの完全酸化用貴金属触媒における担体と金属粒子径の効果
• 環境制御・透過電子顕微鏡法によるナノ粒子触媒のその場観察
• 27pPSA-32 電子線照射と反応ガスによるAu/TiO_2触媒の形状変化の環境TEM観察(27pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aTG-5 Pt/CeO_2触媒のガス種に依存した形状変化の環境TEM観察(26aTG 微粒子・クラスター・ナノ構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 23aJB-4 触媒反応ガス中におけるPt/CeO_2形状の温度依存性(23aJB 表面界面構造(金属・無機化合物),領域9(表面・界面,結晶成長))
• シリコンナノ結晶鎖の成長メカニズム(ナノ結晶)
• 29a-PS-34 シリコンナノ結晶鎖の自己組織的生成
• IX. ナノ物質合成 シリコンナノ結晶鎖
• シリコン結晶における点欠陥クラスタリング
• 24aCC-6 反応ガス中における白金ナノ粒子触媒の表面構造(24aCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 24aCC-7 触媒反応環境下における金ナノ粒子の構造変化(24aCC 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• シリコン中におけるΣ3{111}粒界と不純物の相互作用(格子欠陥・ナノ構造(半導体),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク