柘植 久尚 | NEC 基礎研究所

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概要

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• NEC 基礎研究所の論文著者

関連著者

• 柘植 久尚

  NEC 基礎研究所

• 上條 敦

  NEC機能デバイス材料研究本部

• 柘植 久尚

  NEC機能デバイス材料研究本部

• 上條 敦

  Nec

• 菅原 仁

  都立大理

• 佐藤 英行

  都立大院理

• 柘植 久尚

  NEC基礎研究所

• 三塚 勉

  NEC機能デバイス・材料研究本部

• 三塚 勉

  NEC基礎研究所

• 三塚 勉

  Nec基礎研

• 久保 佳実

  NEC 基礎研

• 橋本 健一

  都立大理

• 福本 能之

  NEC

• 佐藤 英行

  都立大 理

• 菅原 仁

  都立大前理

• 市橋 鋭也

  Necナノエレクトロニクス研究所

• 飯島 澄男

  NEC 基礎研究所

• 市橋 鋭也

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• 田淵 順次

  NEC 基礎研究所

• 佐藤 英行

  都立大

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著作論文

• TMR接合における接合部ミリング深さと接合特性
• 強磁性トンネル接合の温度・バイアス特性
• 26a-O-6 Ba_2YCu_3O_結晶の双晶と表面ステップ

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