レーザ援用インクジェット法による微細配線描画(<特集>先端電子デバイスパッケージと高密度実装における評価・解析技術論文)
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概要
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インクジェット法による配線描画において,レーザ照射による局所加熱で,着弾時の液滴の濡れ広がりを抑制し,従来比20倍のアスペクト(配線幅55μm,厚み約2μm)の微細Ag配線を描画.配線の微細化と厚膜化の両立を実現した.
- 2010-11-01
著者
-
明渡 純
(独)産業技術総合研究所
-
明渡 純
(独)産業技術総合研究所グループ
-
明渡 純
産業技術総合研究所機械システム研究部門グループ
-
明渡 純
産業技術総合研究所
-
遠藤 聡人
産業技術総合研究所
-
明渡 純
産業技術総合研
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