Coフェライトを用いたスピンフィルタ素子の作製
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概要
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A magnetic tunnel junction (MTJ) spin-filter device of Pt/Co ferrite/MgO/Co demonstrated -19.8 % tunnel magnetoresistance (TMR) and 27.5% spin-filter efficiency at 10 K. By increasing the bias voltage, the TMR at 10 K first increased and then decreased, exhibiting a maximum at 0.17 V. This anomalous dependence of TMR on bias was interpreted as tunneling via the spin-down conduction band in the Co ferrite. At room temperature (RT), the tunneling mechanism was thought to originate from hopping in the defect states due to structural and chemical defects in the Co ferrite. To achieve higher spin-filter effect at RT, it is important to reduce the defects in the Co ferrite barrier.
著者
-
葛西 伸哉
物質・材料研究機構磁性材料センター
-
宝野 和博
物質・材料研究機構
-
高橋 有紀子
物質・材料研究機構
-
猪俣 浩一郎
物質・材料研究機構
-
古林 孝夫
物性研:金材技研
-
古林 孝夫
金属材料技術研究所
-
古林 孝夫
物質・材料研究機構
-
三谷 誠司
物質・材料研究機構
-
葛西 伸哉
物質・材料研究機構
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