音 賢一 | 千葉大・理
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概要
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音 賢一
千葉大・理
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千葉大・理
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音 賢一
千葉大 理
著作論文
- 21aTQ-12 ZnSe/BeTeタイプII量子構造における時間分解発光の電場効果(励起子・ポラトリン・高密度励起現象,領域5,光物性)
- 25pWB-13 強閉じ込め型タイプII ZnSe/Beteにおける異常発光IX(25pWB 励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
- 20pPSB-15 超強磁場下ZnSe/BeTeタイプII量子井戸サイクロトロン共鳴(領域4ポスターセッション,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 27pRE-10 強閉じ込め型タイプII ZnSe/BeTeにおける異常発光VIII(27pRE 励起子・ポラリトン・高密度励起現象・局在中心・新物質,領域5(光物性))
- 20aXB-10 強閉じ込め型タイプII ZnSe/BeTeにおける異常発光VII(励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
- 26pYH-11 ZnSe/BeTe単一量子構造でのタイプII発光について III(高密度励起現象・量子井戸・格子振動・表面,領域5(光物性))
- 13aXD-12 外部電場に対する変調ドープ ZnSe/BeTe type II 量子井戸の発光応答(緩和励起子・高密度励起, 領域 5)
- 13aXD-10 ZnSe/BeTe 単一量子構造でのタイプ II 発光について II(緩和励起子・高密度励起, 領域 5)
- 30pXQ-4 変調ドープZnSe/BeTe量子井戸における空間分離型電子・正孔再結合発光(高密度励起現象)(領域5)
- 30pXQ-3 ZnSe/BeTe単一量子構造でのタイプII発光について(高密度励起現象)(領域5)
- 22pPSA-66 ZnSe/BeTe タイプ II 量子井戸における光学的異方性
- 20pTH-9 n-ドープ ZnMgBeSe/ZnSe/BeTe タイプ II 量子井戸の光物性 (II)
- 21aTH-2 ポッケルス効果による量子ホール系の電流分布測定(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 19aRC-4 電気光学効果で見る電位分布とブレークダウン線幅依存性(量子ホール効果(実験),領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 23pWH-8 電気光学イメージングでみた量子ホールブレークダウン(量子ホール効果,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
- 25pXL-10 光ファイバーを用いたポッケルス効果測定による量子ホール状態の電位分布イメージング(25pXL 量子ホール効果,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 26pYH-9 非対称多重量子井戸ZnSe/BeTeにおけるタイプII発光の電場依存性(高密度励起現象・量子井戸・格子振動・表面,領域5(光物性))
- 26pYH-8 強閉じ込め型タイプII ZnSe/BeTeにおける異常発光 VI(高密度励起現象・量子井戸・格子振動・表面,領域5(光物性))
- 26pYH-7 (Cd, Zn)Te/(Cd, Zn, Mn)Te量子井戸構造中での励起子分子ダイナミクスに対するダーク状態の関与(高密度励起現象・量子井戸・格子振動・表面,領域5(光物性))
- 22pPSA-14 希薄磁性半導体 CdZnTe/CdZnMnTe での励起子分子ダイナミクス
- 20aXB-9 微細金属マスクを用いたZnSe/BeTeのタイプII発光(励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
- 25pPSA-10 正・負の永久光伝導によるGaAs 2次元電子系のキャリア濃度の制御と伝導特性(25pPSA 領域4ポスターセッション,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
- 13pPSA-55 ZnSe/BeTe タイプ II 超格子におけるキャリア閉じ込めと発光(領域 5)
- 13aXD-13 タイプ II 超構造 ZnSe/BeTe における特異な複合励起発光とその電場依存性(緩和励起子・高密度励起, 領域 5)
- 13aXD-11 強閉じ込め型タイプ II ZnSe/BeTe における異常発光 V(緩和励起子・高密度励起, 領域 5)
- 30pXQ-6 タイプII非対称超格子ZnSe/BeTeにおける特異な複合励起発光(高密度励起現象)(領域5)
- 30pXQ-5 強閉じ込め型タイプII ZnSe/BeTeにおける異常発光IV(高密度励起現象)(領域5)
- 20pWB-3 強閉じ込め型タイプ II ZnSe/BeTe における異常発光 III
- 24aYT-3 線幅に比例しないブレークダウンと活性化エネルギー(量子ホール効果,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
- 29pYG-1 ブレークダウン電流が線幅に比例しない2次元電子系の活性化エネルギー(量子ホール効果)(領域4)