28aPS-58 コロイド法により作製したCdS超微粒子間のエネルギー移動の発光ダイナミクスII(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2006-03-04

著者

• 中山 正昭

  阪市大院工

• 金 大貴

  阪市大院工

• 富平 和之

  阪市大院工

関連論文

• 20aHQ-8 i-GaAs/n-GaAsエピタキシャル構造からのテラヘルツ電磁波発生の層厚依存性(20aHQ 超高速現象・量子井戸,領域5(光物性))
• 22pPSB-14 CuCI微小共振器の四光波混合II(22pPSB 領域5ポスターセッション(微粒子・ナノ結晶等),領域5(光物性))
• 21aHL-9 ZnOマイクロキャビティにおけるキャビティポラリトンの活性層厚依存性(21aHL 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
• 21aHW-7 GaAs/AlAs多重量子井戸構造におけるサブバンド共鳴による発光のアップコンバージョン(21aHW 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aPS-20 CuCl微小共振器の四光波混合(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 28pPSA-19 GaAs/AlAs多重量子井戸中におけるコヒーレントLOフォノンからのTHz電磁波のコヒーレント制御(28pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 22aPS-70 室温におけるGaAs/AlAs多重量子井戸中のコヒーレントLOフォノンからのTHz電磁波の強度(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 28aXB-9 ZnOマイクロキャビティにおけるキャビティポラリトン分散の温度依存性(励起子・ポラリトン,領域5,光物性)
• 28aXB-8 HfO_2/SiO_2 DBR型CuClマイクロキャビティにおけるラビ分裂の制御(励起子・ポラリトン,領域5,光物性)
• 28pPSA-10 HfO_2/SiO_2多層膜をDBRとしたCuClマイクロキャビティの作製II(28pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 23aYH-6 CuCl微小共振器におけるRabi分裂の活性層厚依存性(23aYH 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
• 23aYH-5 HfO_2/SiO_2多層膜をDBRとしたCuClマイクロキャビティの作製(23aYH 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
• 22aPS-24 DBR型ZnOバルクマイクロキャビティの作製と光学特性II(22aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 25aXP-8 GaAs/AlAs多重量子井戸におけるコヒーレントLOフォノンからのTHz電磁波発生(超高速現象,領域5(光物性))
• 25aXP-5 銅ハライド薄膜におけるコヒーレントLOフォノン生成の励起エネルギー依存性(超高速現象,領域5(光物性))
• 13pPSA-39 ダブルパルス励起による GaAs/AlAs 多重量子井戸におけるコヒーレント LO フォノンと励起子量子ビートの結合モード(領域 5)
• 12pXC-9 真空蒸着 CuI 薄膜における励起子共鳴励起によるコヒーレント LO フォノンの増強(非線形光学・超高速現象, 領域 5)
• 25aXB-2 CdSナノ粒子間のエネルギー移動の温度依存性(微粒子・ナノ結晶,領域5,光物性)
• 30aVD-2 コロイド法により作製したCdS超微粒子間のエネルギー移動の発光ダイナミクスIII(30aVD 微粒子・ナノ結晶・局在中心,領域5(光物性))
• 21aYH-1 コロイド法により作製したCdSナノ粒子の励起子発光ダイナミクス(21aYH 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
• 23aYJ-2 コロイド法により作製したCdS超微粒子間におけるエネルギー移動の発光ダイナミクスII(微粒子・ナノ結晶・低次元物質,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23pYJ-17 GaN薄膜における高密度励起条件での発光ダイナミクス(励起子・ポラリトン・高密度励起現象,領域5,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26aPS-46 ZnO薄膜における電子・正孔プラズマ状態特有のフォノンサイドバンドの過渡吸収特性(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 21aTQ-2 Pb_2ナノ薄膜における励起子重心運動量子化の膜厚依存性 : 励起子分散関係の決定(励起子・ポラトリン・高密度励起現象,領域5,光物性)
• 21aTQ-3 DBR型CuClマイクロキャビティにおける巨大ラビ分裂(励起子・ポラトリン・高密度励起現象,領域5,光物性)
• 23pPSB-12 ZnO薄膜における電子・正孔プラズマ状態特有のフォノンサイドバンド発光のダイナミクス(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 20aYK-6 GaAs/AlAs超格子におけるシュタルク階段状態特有の重い正孔 : 軽い正孔励起子量子ビート(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25pWJ-11 GaAs/AlAs超格子に埋め込まれた単一量子井戸における量子ビートに対する電場効果(量子井戸・超格子ほか,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTG-11 GaAs/AlAs超格子における弱局在条件でのブロッホ振動(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 23pPSA-94 電場印加によるGaAs/AlAs多重量子井戸中のコヒーレントLOフォノンからのテラヘルツ電磁波の増強(領域5ポスターセッション,領域5,光物性)
• 19aZB-1 スパッタリング法により作製したZnOマイクロピラミッドの光学特性(微粒子・ナノ結晶,表面・薄膜,領域5,光物性)
• 18pZB-8 ZnO薄膜における高密度励起条件での時間分解発光と過渡吸収特性(高密度励起現象・励起子・ポラリトン,領域5,光物性)
• 19aZA-12 GaAs/AlAs超格子におけるミニバンド状態励起子量子ビートからブロッホ振動への移行過程(超高速現象・非線形光学,領域5,光物性)
• 19pPSB-26 室温におけるGaAs/AlAs多重量子井戸中のコヒーレントLOフォノンからのTHz電磁波発生(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 19pPSB-25 GaAs/AlAs多重量子井戸構造における電場下での励起子量子ビートとコヒーレント縦光学フォノンの結合(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 20pZC-2 SiO_2/CuCl薄膜における励起子分子共鳴ハイパーパラメトリック散乱の観測(非線形光学・励起子・ポラリトン・緩和励起子・局在中心・新分光法,領域5,光物性)
• 19pPSB-21 光カーゲート法を用いたZnO薄膜の時間分解発光スペクトル(III) : 温度依存性(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 24aXL-5 GaAs/AlAs超格子におけるミニバンド状態励起子量子ビート(24aXL 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 21pTG-13 GaAsに格子整合したInGaAsN/GaAs量子井戸構造のタイプ-IIポテンシャル構造の検証(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 21pTG-12 電場変調反射分光法によるInGaN/AlGaN量子井戸構造における内部分極電場の評価(量子井戸・超格子,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 26aWB-6 GaAs/AlAs多重量子井戸におけるコヒーレントLOフォノンからのテラヘルツ電磁波の電場依存性(26aWB 超高速現象,領域5(光物性))
• 30aRF-9 GaAs/AlAs多重量子井戸におけるコヒーレントLOフォノンから放射されたテラヘルツ電磁波の特性(II)(領域5,領域1合同招待講演,30aRF 超高速現象・非線形光学,領域5(光物性))
• 21aYD-8 GaAs/AlAs多重量子井戸におけるコヒーレントLOフォノから放射されたテラヘルツ電磁波の特性(超高速現象・格子振動・緩和励起子,領域5(光物性))
• 26aXD-12 GaAs/AlAs超格子におけるミニバンド励起子発光のダイナミクス(量子井戸・超格子・光応答,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)
• 24aXL-6 GaAs/AlAs超格子におけるFranz-Keldysh振動に基づくミニバンド有効質量の解析(24aXL 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27pXC-1 半導体超格子におけるワニエ・シュタルク局在状態間共鳴結合条件での光電流双安定性(27pXC 領域4,領域5合同 量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 19aYC-5 単一量子井戸層を持つGaAs/AlAs超格子におけるミニバンドと量子井戸サブバンドとの相互作用(量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 27aZC-3 GaAs/AlAs超格子における第1と第2ミニバンドのワニエ・シュタルク局在状態形成(量子井戸・超格子,領域4(半導体, メゾスコピック系・局在))
• 28pVA-1 希薄窒化物混晶GaAsN薄膜における励起子-励起子散乱発光特性(28pVA 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
• 25aWQ-6 GaAs/AlAs超格子におけるワニエ・シュタルク局在過程でのフランツ・ケルディッシュ振動(25aWQ 量子井戸・超格子,領域4(半導体メゾスコピック系・局在))
• 24aRG-3 ZnOマイクロキャビティにおけるラビ分裂エネルギーの制御(24aRG 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
• 25pPSB-10 HfO_2/SiO_2 DBR型CuIマイクロキャビティの光学特性(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
• 25pPSB-30 アンドープGaAs/n型GaAsエピタキシャル構造からのテラヘルツ電磁波の時間分割Fourier変換解析(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
• MOVPE成長GaN薄膜の高密度励起条件における励起子非弾性散乱過程による発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• MOVPE成長GaN薄膜の高密度励起条件における励起子非弾性散乱過程による発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• MOVPE成長GaN薄膜の高密度励起条件における励起子非弾性散乱過程による発光特性(窒化物及び混晶半導体デバイス)
• MOVPE成長GaN薄膜の高密度励起条件における励起子非弾性散乱過程による発光特性
• MOVPE成長GaN薄膜の高密度励起条件における励起子非弾性散乱過程による発光特性
• MOVPE成長GaN薄膜の高密度励起条件における励起子非弾性散乱過程による発光特性
• 28aPS-20 MOVPE成長GaN薄膜における励起子-励起子散乱と励起子-電子散乱による発光(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 20pPSA-17 希薄混晶InGaNでの励起子-電子散乱過程による発光(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 30aPS-20 InGaN薄膜における強励起条件での発光特性(領域5ポスターセッション)(領域5)
• 22pPSA-13 クロライド気相成長法による ZnO 薄膜の作製とその光学特性
• 19pPSA-48 コロイド法により作製したZnS-CdS混晶超微粒子の発光ダイナミクス(ポスターセッション,領域5,光物性)
• 25pPSB-17 四光波混合法によるCuCl微小共振器中の励起子分子の観測(25pPSB 領域5ポスターセッション(光誘起相転移・励起子・非線形等),領域5(光物性))
• 23pRE-4 CdSc/ZnSナノ粒子間のエネルギー移動の発光ダイナミクス(23pRE 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
• 20aYK-10 希薄混晶InGaN薄膜における励起子発光ダイナミクス(20aYK 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 20aWB-7 CuI 薄膜における励起子-励起子散乱発光の偏光特性
• 19aYC-6 GaAsN/GaAs単一量子井戸構造の光学特性と正孔サブバンド構造(量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 29pXQ-4 GaAs/AlAs多重量子井戸におけるコヒーレントLOフォノンと励起子量子ビートの結合モード(超高速現象)(領域5)
• 21aTA-3 GaAs/AlAs 多重量子井戸における励起子量子ビートとコヒーレント LO フォノンの結合 III
• 30pPSA-37 逆ミセル法により作製した CdS 及び CdMnS 超微粒子の発光特性に及ぼす表面改質効果 II
• 14pYC-3 GaAs/ALAS 多重量子井戸構造における電場下でのサブバンド間エネルギーチューニングによるコヒーレント LO フォノンの増強 II(量子井戸・超格子 : 輸送現象・光学応答, 領域 4)
• 28pYF-4 GaAs/AlAs多重量子井戸構造における電場下でのサブバンド間エネルギーチューニングによるコヒーレントLOフォノンの増強(量子井戸・超格子)(領域4)
• 29aYE-8 GaAs/AlAs 多重量子井戸における励起子量子ビートとコヒーレント LO フォノンの結合 II
• 24aRA-2 Single source precursor法によるCdSe超微粒子の作製と光学特性(24aRA 微粒子・ナノ結晶,領域5(光物性))
• 24aPS-53 CuI薄膜におけるコヒーレントTOフォノンの生成(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 25pWB-9 光カーゲート法を用いたZnO薄膜の時間分解発光スペクトル(II) : 励起エネルギー依存性(25pWB 励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
• 25pWB-8 光カーゲート法を用いたZnO薄膜の時間分解発光スペクトル(I) : 励起強度依存性(25pWB 励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
• 28aPS-19 CuI薄膜における励起子-励起子散乱発光ダイナミクスの励起エネルギー依存性(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 20aXB-3 Cul薄膜における励起子-励起子散乱発光ダイナミクスの温度依存性(励起子・ポラリトン・高密度励起,領域5(光物性))
• 30aPS-59 メソポーラスシリカを利用したCdS超微粒子の作製とその光学特性(領域5ポスターセッション)(領域5)
• CuClマイクロキャビティにおける励起子ポラリトンの制御
• 28aPS-21 rfマグネトロンスパッタリング法により作製したZnOホモエピタキシャル薄膜の励起子光学応答(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 20pPSA-16 クロライド気相成長法により作製したZnO薄膜の発光特性(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 13pPSA-81 タイプ-II 量子井戸励起子遷移に対する高次サブバンド状態効果 (III)(領域 5)
• 28pPSB-5 タイプ-II量子井戸励起子遷移に対する高次サブバンド状態効果II(領域4ポスターセッション)(領域4)
• 22pPSA-67 タイプ-II 量子井戸励起子遷移に対する高次サブバンド状態効果
• 28aHC-3 i-GaAs/n-GaAs構造におけるLOフォノン-プラズモン結合モードからのテラヘルツ電磁波放射(28aHC 超高速現象,領域5(光物性))
• 26aHA-8 CuIマイクロキャビティにおけるラビ分裂エネルギーの制御(26aHA 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
• 25pPSA-8 ZnOマイクロキャビティにおけるキャビティポラリトンに対する2s励起子状態の寄与(25pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 25pPSA-50 CdSナノ粒子間のエネルギー移動の発光ダイナミクス(25pPSA 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 26aHA-10 CuCl微小共振器中における励起子分子-光子結合状態(26aHA 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))
• 25pHD-6 GaAs/AlGaAs超格子におけるミニバンド状態での特異的な励起子量子ビート(25pHD 磁性半導体・量子井戸・超格子,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))
• 25aPS-25 真空蒸着PbI_2薄膜における励起子重心運動閉じ込め(25aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 28aPS-58 コロイド法により作製したCdS超微粒子間のエネルギー移動の発光ダイナミクスII(28aPS 領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 24aPS-81スパッタリング法により作製したZnO薄膜における高密度励起条件下での発光特性(領域5ポスターセッション,領域5(光物性))
• 13pPSA-36 CuI 薄膜における励起子-励起子散乱発光のダイナミクス(領域 5)
• 27pXS-7 スパッタリング法によるZnO薄膜作製における成長温度と低温バッファー層の効果(低次元物質)(領域5)
• 23pRB-3 CuCl微小共振器中における励起子分子-光子結合状態II(23pRB 励起子・ポラリトン,領域5(光物性))

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク