26aXQ-8 アンドープGaAs/n型GaAsエピタキシャル層構造におけるキャリア輸送過程に起因した超高速光応答II(26aXQ 量子井戸・超格子・光応答,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 2013-03-26

著者

• 中山 正昭

  阪市大院工

• 長谷川 尊之

  兵庫県大院物質理

• 高木 芳弘

  兵庫県大院物質理

• 秦 雅彦

  住友化学筑波研

• 竹内 日出雄

  滋賀県大工

• 山田 永

  住友化学筑波研

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