川崎 健 | 住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
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概要
関連著者
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川崎 健
ユーディナデバイス株式会社先端デバイスグループ
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矢野 浩
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
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小谷 謙司
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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川崎 健
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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八重樫 誠司
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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矢野 浩
ユーディナデバイス株式会社
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小谷 謙司
ユーディナデバイス株式会社
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八重樫 誠司
ユーディナデバイス株式会社
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八重樫 誠司
住友電気工業株式会社
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小谷 謙司
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
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川崎 健
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
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山日 竜二
住友電気工業株式会社伝送デバイス研究所
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山日 竜二
住友電気工業株式会社 オプトエレクトロニクス研究所
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柳沢 昌輝
住友電気工業(株)オプトエレクトロニクス研究所
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柳沢 昌輝
住友電気工業株式会社 オプトエレクトロニクス研究所
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古館 清吾
住友電気工業(株)伝送デバイス研究所
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柳沢 昌輝
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
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山日 竜二
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
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八重樫 誠司
住友電気工業株式会社オプトエレクトロニクス研究所
著作論文
- InPパッシベーション構造InGaAs/InP HBTの信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)
- 高均一,高信頼性特性を有するInP/InGaAs HBT の開発
- 高均一,高信頼性特性を有するInP/InGaAs HBTの開発
- SC-7-4 40Gb/s光通信用高速、高均一InP/GaInAs HBTの開発
- C-10-13 サブコレクタ埋め込み構造InP/InGaAs HBTの検討
- SC-9-1 InP HBT 特性の温度依存性モデリング
- SC-9-1 InP HBT 特性の温度依存性モデリング
- InPパッシベーション構造InGaAs/InP HBTの信頼性(電子デバイスの信頼性と半導体界面・表面制御,信頼性一般)