リン化処理を施した化合物半導体へのショットキー接合
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概要
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リン化処理を施したInPやGaAs表面にショットキー接合を作製した.フォスフィン(PH_3)プラズマ処置を用いて作製したInPショットキー接合において障壁高さが金属の仕事関数に依存して変化することが示された.PH_3プラズマ処理を行ったAu/PNx/modified/InPショットキー接合で0.83eVの高実効障壁高さが得られた.GaAs表面のリン化はPH_3ガスの光分解により行われた.リン化処理がInPやGaAsでの表面フェルミ準位のピンニングを弱めるのに効果的であることが示された.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1998-09-25
著者
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