森永 均 | 東北大学 未来科学技術共同研究センター
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概要
関連著者
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大見 忠弘
東北大学 未来科学技術共同研究センター
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森永 均
東北大学 未来科学技術共同研究センター
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大見 忠弘
東北大学工学部
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森永 均
東北大学工学部電子工学科
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大見 忠弘
東北大学未来科学技術共同研究センター
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三島 博之
徳山曹達
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島岡 健治
東北大学 未来科学技術共同研究センター
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陶山 誠
東北大学工学部電子工学科
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能勢 昌之
東北大学工学部電子工学科
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須藤 誠司
東北大学工学部電子工学科
著作論文
- シリコン表面マイクロラフネスの発生メカニズムと低減技術(ゲート絶縁膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)
- ウェットプロセスにおける金属不純物のSi表面への付着メカニズムと付着防止技術
- イソプロピルアルコールによる除電機構 : ウェットプロセスの静電気発生防止
- 半導体ウェットプロセスにおける金属汚染の吸着・脱離メカニズム (特集 新しいウェット洗浄--RCA洗浄を越えて)