Si基板上におけるシリサイド強磁性薄膜のエピタキシャル成長と評価
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概要
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Epitaxial growth of ferromagnetic silicide Fe_3Si was investigated. THe Fe_3Si was formed by the molecular beam epitaxy technique with the substrate temperatures of 30-300℃. The results of XRD and TEM measurements suggested that Fe_3Si (111) layers were epitaxially grown on Si (111), although random Fe_3Si crystal grains were formed on Si (100). Moreover, magnetic properties of the formed layers were discussed.
- 九州大学の論文
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