宮里 達郎 | 九工大情報工
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概要
関連著者
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宮里 達郎
九工大情報工
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孫 勇
九工大工
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孫 勇
九工大情報工
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延谷 宏治
阪大産研
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桐本 賢太
北九州高専電気電子
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桐本 賢太
九工大情報工
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宮里 達郎
九工大
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園田 信夫
福菱セミコン
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延谷 宏治
大阪大 産科研
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西谷 龍介
九工大情報
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砥綿 浩史
九工大情報工
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太田 道広
産総研エネルギー技術
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太田 道広
産業技術総合研究所 エネルギー技術研究部門 熱電変換グループ
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太田 道広
九工大学情報工
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太田 道広
産業技術総合研究所エネルギー技術研究部門
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菅 宏一
九工大情報, 電子
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菅 宏一
九工大情報 電子
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太田 道広
九工大情報工
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斗内 政吉
九工大情報工
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Hawker P.
Nottingham大
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Rampton V.W.
Nottingham大
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Wigmore J.
ランカスター大学e
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中桐 康司
松下デバイス工法開発所
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Wigmore J.
Lancaster大
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太田 道宏
九工大情報工
著作論文
- 13a-DE-9 GaAs/AlGaAs2次元系における電磁波のEdge Magnetoplasma吸収(2)
- 29p-J-5 水素プラズマスパッタリング法によるSi:H薄膜堆積中のエッチング効果
- 28p-PSB-29 デジタル制御STMによる分光
- 13a-PS-29 DSPを用いたデジタル制御STM
- 4p-B-3 SAWデバイスによる超イオン伝導体薄膜の評価
- 23pWA-4 SiC/Si構造のアニール特性
- 24aYA-10 イットリウム安定化ジルコニアの局所構造による内部摩擦
- 25pYB-14 イットリウム安定化ジルコニアの内部摩擦
- 29p-ZA-4 超イオン電導体ZrO_2(Y)の超音波吸収
- 13p-PSB-13 超イオン伝導体ZrO_2(Y)の緩和モードによる音波吸収
- 28a-S-3 SiC膜/Si基板界面に形成されたC-rich層の結晶性
- 28a-S-2 SiC膜/Si基板界面にC-rich層の形成メカニズム
- SiC薄膜/Si基板界面の空洞化メカニズム
- 水素プラズマスパッタリング法によるSiC薄膜の低温作成