金拡散4端子MAGFETによる磁気抵抗効果
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概要
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nチャネルMOSFET(ゲート長20[μm], ゲート幅200[μm], 酸化膜厚0.25[μm])の基板表面に平行でソース-ドレイン間に対して垂直に磁界を作用させた4端子MOSFETの磁気抵抗効果を, 基板に金を拡散した場合としない場合について, またチャネルと基板間(実際はソース-基板間)電圧V_<CB>を変化させて測定を行った. 前者では, V_<CB>=0の場合が磁気抵抗効果は最大であり, 後者では, 磁気抵抗効果はV_<CB>とともに増加した. 得られた磁気抵抗効果相対感度の最大値は0.06[T^<-1>]を示した.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1997-12-12
著者
-
谷口 一郎
同志社大学工学部
-
大鉢 忠
同志社大学工学部
-
水川 信之
同志社大学工学部電気工学科
-
小澤 未生
同志社大学工学部電気工学科
-
蛇見 尚也
同志社大学工学部電気工学科
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河合 清光
同志社大学工学部電気工学科
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