ECR CVD法によるTEOSからのSiO_2膜の形成とMOS界面評価への応用
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概要
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プラズマCVD法により,TEOS(テトラエトキシシラン)を用いてSiO_2膜の低温形成を行った.マイクロ波によるプラズマの発生効率を高めるために,ECR-(電子サイクロトロン共鳴)放電を用いた.また酸素の活性種をダウンストリームで堆積室に供給することにより,基板表面への高エネルギーイオンによるダメージを避けた.この膜をMOSダイオードのゲート酸化膜に適用し,RIEによるシリコン表面の損傷の評価を行った.C-V法による評価の結果,損傷を持つものと持たないものではヒステリシス特性に違いが生じることが分かった.その原因として,損傷層でドナー形の電荷が移動していると考えることが出来る.
- 社団法人電子情報通信学会の論文
- 1994-11-25
著者
-
岡部 敬
同志社大学工学部
-
稲葉 匡俊
同志社大学工学部
-
福々 司郎
同志社大学工学部
-
能勢 英樹
同志社大学工学部
-
中田 和宏
同志社大学工学部
-
吉門 進三
同志社大学工学部
-
谷口 一郎
同志社大学工学部
-
吉門 進三
同志社大学 理工学部
-
吉門 進三
同志社大学
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