ICTS法によるZnOバリスタの課電劣化の評価
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概要
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ZnOバリスタは, その適用上, 各種の電気的ストレスを受けるため, 特性が変化(劣化)し, 性能が低下する。これを課電劣化といい, 粒界障壁に何らかの影響を及ぼしていると考えられている。劣化の原因としては, バイアス電圧印加に伴う粒界層を通しての酸素イオンの伝導が重要であるとされている。本稿では, ZnOバリスタの課電劣化のメカニズムの詳細を解明することを目的とし, 等温過渡容量分光法(ICTS法)による評価を行った。
- 1997-03-06
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