パルス電圧印加を用いたイオン源の開発
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 1996-10-17
著者
-
吉門 進三
同志社大学工学部
-
行村 建
同志社大学
-
鈴木 泰雄
イオン工学研究所
-
大野 一人
同志社大学工学部
-
向当 正朗
同志社大学
-
ADLER R.
NSRC
-
大野 一人
同志社大学
-
行村 健
産業技術総合研究所
-
吉門 進三
同志社大学 理工学部
-
吉門 進三
同志社大学
関連論文
- Sb_2O_3添加ZnOバリスタの課電劣化に対する耐性への熱処理効果
- ECR CVD法によるTEOSからのSiO_2膜の形成とMOS界面評価への応用
- LaCrO_3薄膜高温発熱体の開発と評価に関する研究
- ZrおよびY添加のZnOバリスタの課電劣化への影響
- Ni-Znフェライト, パーマロイを孤立分散させた複合電磁波吸収体の評価
- B-4-29 アルミニウム,ポリスチレン複合電磁波吸収体のアルミニウム粒子の粒径分布による吸収特性制御(B-4.環境電磁工学,一般セッション)
- B-4-40 アルミニウム微粒子をポリスチレン樹脂に分散させた複合体の複素比透磁率制御と電磁波吸収体への応用(B-4.環境電磁工学,一般セッション)
- B-4-35 センダスト,ポリスチレン複合電磁波吸収体のセンダスト粒子形状による吸収特性の変化(B-4.環境電磁工学,一般セッション)
- B-4-34 銅微粒子をポリスチレン樹脂に分散させた複合電磁波吸収体(B-4.環境電磁工学,一般セッション)
- SnO_2添加のZnOバリスタの課電劣化への影響
- LaCrO_3薄膜高温発熱体の開発と評価に関する研究
- LaCrO_3薄膜高温発熱体の開発と評価に関する研究
- LaCrO_3薄膜高温発熱体の作製と評価
- C-6-6 LaCrO_3薄膜高温発熱体の作製と評価
- エキシマレーザーアブレーション法による機能性薄膜の製作
- 放電重合法によるベンゼンモノマの重合膜の形成に関する研究
- 新物質K_x[Ga_8Ga_Ti_O_」の合成
- ZrO_2添加のZnOバリスタの耐課電劣化特性への影響に関する研究
- ZnOバリスタの粒界と課電劣化の関係
- ZnOバリスタのMn, Co両添加による課電劣化への影響
- ZnO バリスタの Si 添加の課電劣化改善への影響
- ZnOバリスタの添加物の原子価遷移の課電劣化への影響
- ZnOバリスタのAl添加の課電劣化への影響
- ZnOバリスタのAl添加の課電劣化への影響
- ZnOバリスタの添加物の原子価遷移の課電劣化への影響
- ZnOバリスタの不純物の課電劣化への影響
- ZnOバリスタの不純物の課電劣化への影響
- ZnOバリスタの課電劣化要因の評価
- C-6-7 ZnOバリスタの直流課電特性
- 種々の添加物を用いたZnOバリスタの課電劣化の評価
- 種々の添加物を用いたZnOバリスタの課電劣化の評価
- ICTS法によるZnOバリスタの課電劣化の評価
- ペンタクロロニトロベンゼン単結晶における誘電吸収および誘電率の異方性
- 複合電波吸収体の作成および評価
- 高分散コロイド溶液を用いた電気泳動法による酸化チタン薄膜の作製
- プラズマ中のイオン引出しによる三次元イオン注入技術
- 全方位型パルスイオン注入装置によるTi製膜
- 3次元イオン注入システムにおけるイオン電流のパラメータ依存性
- 一様垂直入射イオンビームによるTiの製膜
- パルス電圧印加を用いたイオン源の開発
- ArFエキシマレーザCVDによるSiO_2薄膜の形成
- ArFエキシマレーザCVDによるSiO_2薄膜の形成
- 可視光パルスレーザアブレーション法によるYBCO薄膜の堆積と評価
- 可視光パルスレーザアブレーション法によるYBCO薄膜の堆積と評価
- ケイ化モリブデン薄膜高温発熱体の発熱特性の改善
- MoSi_2 薄膜高温発熱体の作製とその応用
- Caを15mol%置換したLaCrO_3薄膜高温発熱体の発熱特性の基板純度依存性
- 酸化チタンナノ粒子を用いた電気泳動法による酸化チタン薄膜の作製
- 色素増感型太陽電池の電気泳動法によるTiO_2薄膜の作製と色素吸着
- B-4-33 センダスト粒子,アルミニウム粒子をポリスチレン樹脂に分散させた複合電磁波吸収体(B-4.環境電磁工学,一般セッション)
- B-4-40 センダストを分散させた複合電磁波吸収体のセンダスト粒径依存性(B-4.環境電磁工学,一般セッション)
- B-4-42 アルミニウム微粒子をポリスチレン樹脂に分散させた複合電磁波吸収体(B-4.環境電磁工学,一般セッション)
- アルミニウム微粒子をポリスチレンに分散した複合電磁波吸収体の作製と評価
- B-4-67 ポリスチレン樹脂にセンダストを孤立分散させた複合電磁波吸収体の設計(B-4. 環境電磁工学,一般セッション)
- NF_3ガス系プラズマRIEを用いたLiNbO_3単結晶のマスク非使用による微細表面加工
- SiO_2粒子が孤立したフェライト・SiO_2複合電磁波吸収体の特性評価
- フェライト・SiO_2複合電磁波吸収体の吸収特性の粒径依存性
- フェライト・SiO_2複合電磁波吸収体の吸収特性の粒径依存性
- フェライト・SiO_2 複合電波吸収体材料の吸収特性の改善および斜入射特性の評価
- 抵抗皮膜を有する複合電波吸収材料の開発および評価
- 複合電磁波吸収体材料の開発および評価
- 複合電波吸収材料の開発と評価
- 複合電波吸収体材料の吸収特性の温度依存性
- 複合電波吸収体材料の開発と評価
- 電磁波吸収体の吸収特性の温度依存性
- Zr, Y, Sb添加のZnOバリスタの課電劣化への影響
- Bi系ZnOバリスタへのBa添加によるZnO粒成長と電気特性への影響
- A_Ti_M_O_(A=Na, K, M=Al,Ga)のウイスカーの合成
- 2a-K-3 ホーランダイト型構造を持つ一次元超イオン伝導体のNMR
- 2a-K-2 ホランダイト型構造一次元超イオン伝導体の周波数依存イオン伝導率の測定
- FZ法によるBa-Al-プリデライト及びK-Zn-プリデライト単結晶の育成とそのイオン伝導度
- ウエットエッチングにより加工したYBCOマイクロストリップ線路共振器の作製と評価
- RFマグネトロンスパッタ法により作成したYBCO薄膜のマイクロ波抵抗
- セラミックス複合体の電磁気的特性について
- 複合電波吸収体材料の開発および評価
- 複合電波吸収体材料の開発および評価
- B-4-58 複合電波吸収体の開発と評価
- 複合電波吸収体材料の開発と評価
- フッ素系ガスプラズマRIEを用いたLiNbO_3結晶のマスクを使用しない微細表面加工
- フッ素系ガスプラズマRIEを用いたLiNbO_3結晶のマスク非使用による表面加工
- フッ素系ガスプラズマRIEを用いたLiNbO_3, LiTaO_3結晶の加工表面評価
- プラズマRIEによるLiNbO_3結晶の加工表面評価
- プラズマRIEによるLiNbO_3結晶の加工表面形状評価
- BaTiO3系PTCサーミスタの電極材料の評価
- フッ素系ガスプラズマRIEによるLiNbO_3結晶のエッチング特性
- フッ素系ガスプラズマRIEによるLiNbO_3結晶のエッチング特性
- BaTiO_3系PTCサーミスタの電極材料の評価
- 酸化物高温超伝導体YBCO薄膜を用いたマイクロ波フィルターの作成および評価
- C-8-10 酸化物高温超伝導体YBCO薄膜を用いたマイクロ波フィルタの作製および評価
- C-6-11 PTCサーミスタの電極材料の評価
- LiNbO_3 のプラズマによるドライエッチング特性
- 中心波長128nmArエキシマ光によるPTFE表面の親水化
- エキシマランプによるPTFEの表面改質
- エキシマランプによるPTFEの表面改質
- Zr,Y,Sb添加のZnOバリスタの課電劣化への影響
- Bi系ZnOバリスタへのBa添加によるZnO粒成長と電気特性への影響
- Arエキシマ光によるPTFE表面改質の可能性
- 無声放電励起希ガスエキシマ光の発生とPTFEの分解
- B-4-47 センダスト粒子をポリスチレン樹脂に分散させた複合電磁波吸収体の吸収周波数の広帯域化(B-4. 環境電磁工学,一般セッション)
- ECRプラズマエッチングにおけるRFバイアスのSi表面への影響