フッ素系ガスプラズマRIEを用いたLiNbO_3結晶のマスクを使用しない微細表面加工
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概要
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Etching characteristic LiNbO3 single crystal has been investigated using plasma RIE (Reactive Ion Etching) with mixture gases of CF4/Ar, CF4/H2, CF4/Ar/H2. The etched surface was evaluated by means of atomic force microscopy. The etched rate for -Z surface of LiNbO3 single crystal was higher than +Z surface using CF4/Ar and CF4/H2 mixture gases. Possibility of the deep etching at the boundary between -Z surface and +Z surface for partially polarization-reversed LiNbO3 without mask was investigated. The best condition of the deep etching was obtained by using CF4/H2 mixture gas. The value of aspect ratio is approximately 1.0 on this condition.
- 社団法人 電気学会の論文
- 2006-08-01
著者
-
吉門 進三
同志社大学工学部
-
吉門 進三
同志社大学工学部電気工学教室
-
吉門 進三
同志社大学理工学部
-
小俣 輝明
同志社大学工学部電子工学科
-
藤井 隆裕
同志社大学
-
吉門 進三
同志社大学大学院工学研究科
-
吉門 進三
同志社大学 理工学部
-
吉門 進三
同志社大学
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