5p-C-16 酸素を含むシリコンの電子輸送現象
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1989-09-12
著者
-
大山 忠司
阪大教養
-
大塚 穎三
阪大教養
-
大山 忠司
Osaka Univ. Osaka
-
Ohyama Teruo
Department Of Physics Gakushuin Univ
-
杉原 康平
阪大教養
関連論文
- 30p-W-10 NiSi_2/Siにおける界面効果
- 17aYG-6 酸化インジウム薄膜の磁気抵抗に現れる弱局在, 弱反局在効果
- 3p-RM-9 Indium Tin Oxide薄膜の低温における磁気抵抗異常
- 21. 酸化インジウム薄膜のアンダーソン局在と負磁気抵抗(アンダーソン局在の総合的研究,科研費研究会報告)
- 28a-M-7 Indium Tin Oxide薄膜のアンダーソン局在
- 31p-M-2 ポーラスSiの赤外吸収とフォトルミネッセンスIV
- 25a-ZG-11 ポーラスSiの赤外吸収とフォトルミネッセンス III
- 30p-W-9 ポーラスSiの赤外吸収とフォトルミネッセンス II
- 28a-YM-9 GaAs中の浅い不純物による磁気光吸収 II : 吸収線幅の濃度および磁場依存性
- 24a-M-3 EL2を含む半絶縁性GaAsの遠赤外磁気光吸収
- 5a-D-3 EL2を含む半絶縁性GaAsのマイクロ波パルス光伝導と遠赤外磁気光吸収
- 30a-C-4 励起子系の衝突解離過程 : 電場励起とマイクロ波励起
- 4a-E-6 InSbの衝突イオン化による自発振動に対する磁場効果 III
- 28p-G-16 Geにおける量子極限サイクロトロン共鳴と電子散乱 III
- 28p-G-15 InSbの量子極限でのサイクロトロン共鳴と共鳴線幅
- 28p-G-7 Ge中の衝突イオン化に対する遠赤外光効果
- 28p-G-6 強磁場下光励起Ge中での電荷担体の拡散
- 26a-G-4 光励起-半絶縁性GaAsの遠赤外吸収と超音波吸収
- 29a-B-7 半絶縁性GaAs中のEL2中心から励起された電子のサイクロトロン共鳴とマイクロ波光伝導
- 28p-A-17 Ge中の巨大電子-正孔液滴のマイクロ波吸収 II : サイズ共鳴現象と不純物散乱
- 28p-A-16 光励起ZnSeにおける正孔のサイクロトロン共鳴
- 28p-A-15 光励起Geにおける励起子と自由担体のダイナミックスII
- 28p-A-14 Geにおける量子極限サイクロトロン共鳴と電子散乱
- 27a-B-2 Geのフォトルミネッセンスの空間分解 II : 電子-正孔液滴のドリフト過程の不純物効果
- 14a-E-13 GaAsにおける電子の中性不純物散乱
- 29p-N-7 光励起Geの超音波吸収
- 29p-N-5 光励起InSbの遠赤外磁気光吸収 III
- 31p-N-3 炭素フラーレン系分子の赤外吸収 II
- Optically Detected Far-Infrared Magnetoabsorption in InGaAs
- ZnSeの双晶界面における2次元電子系
- 26a-ZD-9 炭素フラーレン系分子(C_, C_)の質量分析と赤外吸収
- 11p-E-12 n-InPの遠赤外磁気光吸収
- 2p-R-4 n型InSbにおけるサイクロトロン発光
- 2p-R-2 光励起遠赤外レーザーによるn-InSbの磁気光効果
- 22a-G-9 n-InSbにおけるサイクロトロン発光
- Pressure Dependence of the SDW Properties in the Organic Conductor (TMTSF)_2PF_6 : II. LOW TEMPERATURE PROPERTIES OF SOLIDS : Spin Density Waves
- Impurity Effects on Strain-Confined Electron-Hole Liquid in Germanium II. : Millimeter-Wave Studies on Transport Phenomena
- Impurity Effects on Strain-Confined Electron-Hole Liquid in Germanium I. : Photoluminescence Studies on Rrcombination Dynamics
- Suppression of Electron-Hole Droplet Transport by Deep Impurities in Germanium
- 13a-DE-13 GaAs/AlAs超格子中の励起子発光 II
- 1a-N-6 GaAs/AlAs超格子中の励起子発光
- 30p-M-6 Si中の金属不純物による散乱効果
- 30p-M-5 直接接着シリコンにおける界面の効果
- 27a-ZG-3 直接接着したシリコンにおけるサイクロトロン共鳴 II
- 26a-ZH-12 CdTe-ZnTe系超格子半導体のフォトルミネッセンス II
- Dynamics and Kinetics of Carrier System in Photoexcited Ge and Si Observed by Optically Detected Cyclotron Resonance
- 30p-W-8 直接接着したシリコンにおけるサイクロトロン共鳴
- 30p-W-7 ZnSe中のドナーによる遠赤外磁気光吸収
- 30p-W-6 ZnSeにおける光検知サイクロトロン共鳴
- 28p-W-1 CdTe-ZnTe系超格子半導体のフォトルミネッセンス
- 28p-D-11 lnSbの光伝導率に対する電場-磁場効果
- 28p-D-9 Si上のNiシリサイド薄膜の電流磁気効果2
- 28p-D-1 電子線照射をしたシリコンにおけるサイクロトロン共鳴とフォトルミネッセンス
- 29p-K-4 Siへの水素注入の効果II
- 27p-M-5 Si上のNiシリサイド薄膜の電流磁気効果
- 27p-M-4 CdTeの固有形光キャリアーの寿命
- Potential Modulation of Semiconductor Dot Array System due to Photoexcitation
- 28a-YM-6 Si中の金属不純物による散乱効果 III
- 3p-J-1 Si中の金属不純物による散乱効果II
- 28p-G-8 Si中のMn不純物による電子の散乱
- 13a-W-13 電子,励起子,液滴の拡散
- 4p-KL-7 H_2Oレーザーによるn-Geの磁気光吸収
- 5p-KD-12 電子-正孔液滴に対する一軸性ストレス効果
- 28p-G-13 ZnSe薄膜の遠赤外磁気光吸収
- 1a-F-4 Geのフォトルミネッセンスの空間分解
- 2a-A-4 Ge中の巨大電子-正孔液滴のルミネッセンス
- 4p-N-12 CO_2レーザー光励起によるサイクロトロン共鳴
- 28p-G-10 高い補償比をもつGeにおける不均一な内部電場効果
- Resonant-Photoelectromagnetic Effects in Far-Infrared Regions for Compound Semiconductors
- Internal Stark Effect by Inhomogeneous Electric Fields in Highly Compensated p-InSb
- 28p-K-2 Cyclotron Resonance in an InAs-AlSb quantum well in tilted magnetic fields
- 27p-M-1 衝突解離過程における交換相互作用
- 2a-B-2 光励起InSbの不純物サイクロトロン共鳴
- 1a-B-12 GaAsのホットエレクトロン効果
- 1a-K-10 光励起InSbの遠赤外磁気光吸収 II
- 3a-B-3 光励起InSbの遠赤外磁気光吸収
- 2a GE-11 臨界温度付近の大液滴
- 5p-LT-6 光励起シリコンの磁気光吸収
- 1p-BJ-5 大液滴による磁気プラズマ吸収 (II)
- 1p-BJ-4 液滴中の濃度に対する磁場及び不純物効果
- 11p-R-3 高励起,不均一ストレス下でのサイクロトロン共鳴とアルヘン波
- 4p-U-13 不純物を含むゲルマニウムの電子の寿命
- 28a-G-11 InSbの電気双極子誘起スピン共鳴 II
- Transport Properties of LaAg_In_x,CeAg_In_x and RAg (R=Pr,Nd,Gd and Y)
- Linewidth Study of Electric Dipole induced Spin Resonance in Uniaxially Stressed n-InSb for Far-Infrared Region: Theoretical : Condensed Matter: Electronic Properties, etc.
- Linewidth Study of Electric Dipole Induced Spin Resonance in Uniaxially Stressed n-InSb in Far Infrared Regions: Experimental : Condensed Matter: Electronic Properties, etc.
- Effect of Impact Ionization on Photoluminescence in Single- and Polycrystalline InP
- 4a-E-14 光検知サイクロトロン共鳴における高調波共鳴の増強
- 30a-Y-10 Siにおける光検知サイクロトロン共鳴
- サイクロトロン共鳴の光学的検出法
- 5p-C-2 Geにおける光検知サイクロトロン共鳴II
- Optically Detected Cyclotron Resonance of Exciton and Electron-Hole Droplet Systems in Pure Germanium
- Pressure-Induced Antiferromagnetism of Fe_2P
- 2a-A-7 高純度ZnSeのサイクロトロン共鳴(II) : 温度依存性
- 1a-KC-13 高純度ZnSeのサイクロトロン共鳴
- Instability of Cl-Related Deep Defects in ZnSe
- Far-Infrared Resonant Faraday Effect in Semiconductors(Condensed Matter : Electronic Structure, Electrical, Magnetic and Optical Properties)
- Studies of Excited States for Shallow Donors in Magnetic Field on Bulk n-InP (Condensed Matter: Electronic Structure, Electrical, Magnetic and Optical Properties)
- Optically Detected Cyclotron Resonance in CdTe
- Broadening of Exciton Luminescence Line in Modified CdTe/ZnTe Multi-Quantum Wells