Electron Scattering in GaAs at the Quantum Limit
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概要
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A number of new features of electron quantum transport have been disclosed in the systematic time-resolved cyclotron resonance of GaAs in the far-infrared. The temperature dependence of electron-phonon scattering, magnetic field and concentration dependence of the electron-neutral donor scattering and electron-density dependence of carrier-carrier scattering have been investigated. Available theories give no good relationship with our observations regarding electronphonon type scattering. The electron-neutral donor scattering rate was found to be proportional to the donor concentration and the inverse square root of the magnetic field, the magnitude being much lower than predicted by the Erginsoy relation. The carrier-carrier scattering rate has been the only thing comparable with the existing theoretical predictions.
- 社団法人応用物理学会の論文
- 1986-10-20
著者
-
大山 忠司
阪大教養
-
山崎 陽司
京都府歯科医師会公衆衛生・産業歯科部
-
Otsuka Eizo
Department of Applied Physics, Osaka University
-
Ohyama Teruo
Department Of Physics Gakushuin Univ
-
KOBORI Hiromi
Department of Physics, Faculty of Science and Engineering, Konan University
-
Ohyama Tyuzi
Department Of Physics College Of General Education Osaka University
-
Hiromi Kobori
Department Of Physics Faculty Of Science And Engineering Konan University
-
Kobori Hiromi
Department Of Chemical And Biological Science Faculty Of Science
-
Otsuka Eizo
Department Of Applied Physics Osaka City University
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