Structured Photoluminescence Spectrum in Laterally Anodized Porous Silicon
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概要
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Visible photoluminescence (PL) has been systematically investigated in laterally anodized porous silicon. The PL peak position was dependent on the distance from the meniscus and shifted towards a shorter wavelength with increasing anodization current density. A PL spectrum exhibiting several structures was observed inside the mirrorlike region on the sample surface, which was interpreted by multiple reflection of the luminescence, not by the quantum size effects. Through the analysis of the PL spectrum, the Si density of the porous layer was roughly estimated to be 37% by means of the effective-medium model.
- 社団法人応用物理学会の論文
- 1992-12-15
著者
-
大山 忠司
阪大教養
-
大山 忠司
Osaka Univ. Osaka
-
FUJIWARA Yasufumi
Department of Materials Science and Engineering, Nagoya University
-
Ohyama Teruo
Department Of Physics Gakushuin Univ
-
Fujiwara Yasuaki
Department Of Mechanical Engineering Nagaoka University Of Technology
-
Fujiwara Yuichiro
Department Of Applied Physics The University Of Tokyo
-
Ohyama Tyuzi
Department Of Physics College Of General Education Osaka University
-
Nakata H
Tokyo Metropolitan Inst. For Neurosci. Tokyo Jpn
-
Nakata Hiroyasu
Department Of Molecular Cell Signaling Tokyo Metropolitan Institute For Neuroscience
-
NISHITANI Hikaru
Department of Physics, College of General Education, Osaka University
-
Nakata Hiroyasu
Department Molecular Cell Signaling Tokyo Metropolitan Institute For Neuroscience
-
Fujiwara Y
Univ. Tokyo Tokyo
-
Fujiwara Yasufumi
Department Of Materials Science And Engineering Graduate School Of Engineering Nagoya University
-
Nishitani Hikaru
Department Of Physics College Of General Education Osaka University
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