Evaluation of Band-Gap Energies and Characterization of Nonradiative Recombination Centers of Film and Bulk GaN Crystals
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概要
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- Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physicsの論文
- 2003-08-15
著者
-
岡本 徹
東大理
-
HARAGUCHI Masanobu
Department of Optical Science and Technology, Faculty of Engineering, The University of Tokushima
-
OKAMOTO Toshihiro
Department of Optical Science and Technology, Faculty of Engineering, The University of Tokushima
-
FUKUI Masuo
Department of Optical Science and Technology, Faculty of Engineering, The University of Tokushima
-
MUKAI Takashi
Department of Research and Development, Nichia Chemical Industries Ltd.
-
Fukui Masuo
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering The University Of Tokushi
-
KAMANO Masaru
Department of Optical Science and Technology, Faculty of Engineering, The University of Tokushima
-
KUWAHARA Minoru
Department of Optical Science and Technology, Faculty of Engineering, The University of Tokushima
-
SHINOMIYA Genichi
Department of Research and Development, Nichia Chemical Industries, Ltd.
-
Kuwahara M
Department Of Comparative Pathophysiology Graduate School Of Agricultural And Life Science The Unive
-
Mukai T
Department Of Animal Science School Of Veterinary Medicine And Animal Sciences Kitasato University
-
Kamano Masaru
Nichia Corporation
-
Okamoto T
Department Of Agricultural Chemistry Faculty Of Agriculture Kinki University
-
Haraguchi Masanobu
Department Of Electrical And Electronic Engineering Faculty Of Engineering The University Of Tokushi
-
Kamano Masaru
Department Of Optical Science And Technology Faculty Of Engineering The University Of Tokushima
-
Shinomiya G
Department of Research and Development, Nichia Chemical Industries, Ltd., 491 Oka, Kaminaka, Anan, Tokushima 774-8601, Japan
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