30a-PS-30 金属表面上の単原子層h-BNの電子状態
スポンサーリンク
概要
- 論文の詳細を見る
- 社団法人日本物理学会の論文
- 1995-09-12
著者
-
長島 礼人
早大理工
-
大島 忠平
早大理工
-
大島 忠平
早稲田大学 各務記念材料技術研究所
-
大島 忠平
早稲田大学理工学部
-
手嶋 憲彦
早大理工
-
蒲生 康男
早稲田大学理工学部応用物理学科
-
蒲生 康男
早大理工
-
川合 孝尚
早大理工
-
長島 礼人
東京工業大学理学部物理学科
-
川合 孝尚
早大・理工・応用物理
関連論文
- 29p-PS-23 角度分解型電子分光法によるTaC(100)面上の単原子層グラファイトの観察
- Nb超伝導針からの電界電子放出(II)
- Ni針上の炭素ナノ構造の原子構造と電界電子放出
- 電界放出電子のエネルギー分布
- 金属表面上のグラフェン,h-BNおよびBC_3膜(グラフェンの成長と応用)
- 走査型トンネル顕微鏡によるH/Si(110)表面での昇温脱離過程の観察
- 5a-B-8 H/Si(110)表面での水素の昇温脱離過程のSTM観察
- 大立体角電子エネルギー分析器の試作
- 27a-Z-10 Cu(100)-Oの表面フォノン
- 28a-ZF-8 LaB_6(100)の表面フォノン
- 29p-BPS-47 NiA1(111)の表面フォノン
- 30p-BPS-6 金属(Ni、Pt) の単原子層グラファイト薄膜およびその成長過程のSTMによる観察
- 27p-E-8 STMによるSi(100)上の金属(Pt、Pd)吸着系の研究
- 27p-R-12 STMによる遷移金属上の単原子層グラファイトの観察
- 25p-PS-50 Si(100)上のPt吸着系のSTMによる観察
- 5a-PS-13 STMによる遷移金属炭化物上の上の単原子層グラファイトの観察
- 27a-E-3 LaB_6(100)の表面フォノン
- 24a-PS-1 EELS装置の試作
- 走査型トンネル顕微鏡によるSi(110)面上のホモエピタキシャル成長の観察
- 8p-B-2 α-Cu-Al(111)表面の相転移の走査型LEED顕微鏡による観察II
- 27a-E-6 角度分解型電子分光法によるTiC(111)面上の単原子層グラファイトの観察
- 30a-TJ-3 窒素比の高いZrN薄膜の研究
- 2a-T-10 STMによるTiC(111)上の単原子層グラファイトの観察
- 1p-Z-2 化合物の表面フォノンポラリトン
- 27a-Z-11 遷移金属炭化物上の単原子層グラファイトの電子状態と2次元プラズモン
- 単原子電子源を搭載した低速走査型電子顕微鏡の開発
- Ni(111)上の六方晶系窒化ホウ素膜の安定性
- 2p-YF-6 Ni(755)上の単原子層六方晶系窒化ホウ素膜
- 超コヒーレント電子ビーム
- 30a-YK-9 ナノチップ電子源の作製
- 27a-Z-12 低温電界放射電子のエネルギー分析
- グラファイト・ナノリボンの電子構造
- グラファイト・ナノクリスタルおよびグラファイト・ナノリボンの作製
- Ni(111)表面上単原子層グラファイトの構造解析
- 3p-J-12 単原子層h-BNに被膜されたNi(111)表面上におけるグラファイト吸着層の成長及び電子状態の観察
- 3a-K-3 Ni(111)表面上のグラファイト及びh-BN単原子層膜の構造解析
- 30a-PS-30 金属表面上の単原子層h-BNの電子状態
- 31a-S-10 Pt(111)表面上の単原子層h-BNの電子状態
- 2a-Q-8 Ni(111)表面上の単結晶hーBNの電子状態
- 極高真空計用低温電子源の電子放射特性とガス放出
- 15aPS-21 エピタキャシャル BC_3 薄膜のフォノン構造(領域 9)
- 21aPS-3 NbB_2(0001)面上にエピタキシャル成長した準安定状態BC_3薄膜(領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
- Pt(755)とTic(755)上に成長させた単原子層グラフェンの電子状態
- 28p-PSB-36 アルカリ吸着に伴う単原子層グラファイトの電子状態の変化
- 28aXE-1 グラフェン/h-BNヘテロエピタキシャル膜のSTM観察
- 25pWB-12 h-BN/Ni(111)のSTM観察
- 未来開拓学術研究推進事業プロジェクト「次世代超電子顕微鏡の開発」 -超コヒーレント電子ビームの開発-
- 大立体角電子エネルギー分析器の試作(II)
- 単分子吸着したNi(111)表面のCr-Lα, Al-Kα線光電子回折における光源依存性
- 回折面アパーチャを用いた X 線光電子回折パターンの高角度分解能測定
- 31p-R-10 h-BN1Ni(111)の電子状態の計算
- グラフェンとh-BNの化学気相堆積膜
- カーボンナノチューブからのコヒーレント電子ビームの放出 : FEM像内のヤング干渉縞
- 表面状態の解析-34-高分解電子エネルギ-損失分光法
- 実用極高真空電子銃
- 単原子電子源の電子放出特性
- 解説記事 コヒーレント電子ビームの開発
- 電界電子放出と表面科学
- Q&A
- 25p-YM-1 Nb超伝導体からの電界電子放射
- 表面物性研究のための実験装置
- 極高真空計測の試み
- 24pY-7 Si(111)表面上のベンゼン吸着構造のSTM観察
- 31a-Q-7 LaB-6(111)表面のSTM観察
- 7a-PS-40 h-BN/Ni(111)界面における化学結合状態
- 超コヒーレント電子ビーム実現の試み
- 六方晶系窒化ホウ素膜のフォノン
- 29p-S-1 金属6硼化物表面の格子緩和と格子振動
- 12p-DJ-2 TaC(111), (100)表面上の単原子層及び2原子層グラファイトのプラズモン
- 極高真空電界電子放出と韓国の極高真空技術
- 14pYB-2 微小バイプリズムを用いた電子ビームのコヒーレンス長測定(量子ドット・量子閉じ込め : 実験, 領域 4)
- ナノ領域から電界放出される電子波の干渉
- 超コヒーレント電子ビームの開発
- 29a-G-11 TaC(100)、(111)面上の単原子層グラファイトの電子構造
- 電子励起型真空計
- 高分解能電子エネルギー分析器のスリット電極の表面ポテンシャル分布
- 単原子層六方晶窒化ホウ素のフォノン
- 六ホウ化ランタンの表面フォノンと電子放射
- 6方晶系窒化ホウ素の単原子層エピタキシャル膜
- 27a-E-5 単原子層グラファイト/Ni(111)系における電荷移動機構
- 5p-W-8 TiC, TaC(111)上の単原子層グラファイト
- 単原子電子源周辺の新物理現象
- 超平坦金属表面上におけるグラフェン成長その場観察
- 27aYF-4 カーボンナノチューブからの電界放出電子スペクトル(27aYF 表面ナノ構造量子物性,領域9(表面・界面,結晶成長分野))