安 東秀 | 早大理工
スポンサーリンク
概要
関連著者
-
市ノ川 竹男
早大理工
-
井藤 浩志
早大理工
-
市ノ川 竹男
早稲田大学 理工学部
-
安 東秀
早稲田大学応用物理学科
-
井藤 浩志
早稲田大学応用物理学科
-
安 東秀
早大理工
-
市ノ川 竹男
Department Of Applied Physics Waseda University
-
川崎 豊誠
早大理工
-
藤井 宣亨
早大理工
-
柳 寛
早大理工
-
白木 一郎
山梨大医工
-
安松 拓人
早大理工
-
白木 一郎
早大理工
-
大島 忠平
早大理工
-
伊藤 昭
東大生産研
-
渡辺 敏文
早大理工
-
佐藤 崇広
早大理工
-
白木 一朗
早大理工
-
伊藤 昭
早大理工
-
Winau D
早大理工
-
大島 忠平
早稲田大学 各務記念材料技術研究所
-
大島 忠平
早稲田大学理工学部
-
Winau D.
早大理工
著作論文
- 5a-B-8 H/Si(110)表面での水素の昇温脱離過程のSTM観察
- 29a-PS-34 Cu/Siにおける表面偏析、吸着構造、ドメインのSTM、SEMおよびμ-LEEDによる解析
- 29a-PS-6 Si(110)上の水素吸着構造と熱脱離によるドメイン構造の変化
- Si(111)Cu-"5×5"構造とドメイン方向の解析
- Si(100)水素吸着系におけるSingle domainからDouble domainへの相変化
- 3p-K-12 Cu/Si(110)表面構造のSTM観察
- 3a-J-10 Cu/Si(100)における表面偏析と表面構造のSTMによる解析
- 30a-PS-11 Si(001)微斜面のステップの挙動
- 30a-PS-6 Cu/Si(100)における表面再配列構造のSTM観察
- 31p-S-7 Bが偏析したSi(111)表面での金属成長過程のSTM観察
- 29a-J-6 Si(111)上のBの表面偏析過程のSTM観察
- 4a-Q-9 Si-B吸着系のSTM観察
- 2p-PSA-35 Si(001)微斜面上での多原子層ステップ