21aWH-10 2つのナノ構造島成長過程のシミュレーション(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)

スポンサーリンク

概要

• 論文の詳細を見る
• 社団法人日本物理学会の論文
• 2007-02-28

著者

• 川村 隆明

  山梨大教育

• 川村 隆明

  山梨大教育:山梨大院医工

• 鈴木 麻理子

  山梨大院医工

関連論文

• 26aYA-11 単原子完全結晶におけるX線純虚数分極率の効果の検出
• 7a-X-6 GaK吸収端近傍におけるGaSb200反射のロッキングカーブ
• 3a-W-4 フーリエX線分極率の実数部と虚数部とがほぼ等しい時の動力学回折II
• 30a-P-4 ロッキングカーブによる位相変化の観測 (Bragg case)
• 31p-B-12 |Xhr|=|Xhi|における動力学回折
• 2p-S-8 低速電子回折像の迅速測定II
• 22aYE-1 一般化DLAモデルによるAu2次元島のフラクタル次元の解明(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 12aXF-8 Pt(111), Ir(111) 表面における Au2 次元島のフラクタル性(表面界面構造 : 金属・有機化合物, 領域 9)
• 1a-BF-1 表面波共鳴条件下でのRHEED菊池像のコントラスト
• 9a-Z-8 RHEEDの菊池バンドの異常コントラスト(II)
• 6p-L-7 RHEEDによる菊池像の温度変化II
• 29a-L-7 MgO(001)からのLEED強度計算
• 28aRE-2 動力学回折に伴う位相観測(28aRE X線・粒子線(X線),領域10(誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性))
• 24aWG-2 GaAs200回折における同位相干渉縞の解析(X線・粒子線(X線光学・イメージング),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
• 6a-H-9 RHEEDによる菊池像の温度変化
• 6a-H-8 RHEEDによるGaAsの菊池バンドの異常
• 31p-B-11 透過波のロッキングカーブによる異常散乱因子の決定
• 4p-X-9 ロッキングカーブによる位相変化の観測(Laue case)
• 29p-YM-2 異常透過のロッキングカーブに見られる位相の変化
• 29a-YM-12 偏光によるペンデルビートII
• 31p-ZB-10 X線共鳴散乱ペンデル縞によるGe K 吸収端における異常分散の研究
• 31p-ZB-9 X線複素分極率の虚数部だけによるX線トポグラフィーのコントラスト
• 26a-S-12 ボルマン吸収をもつラウエケースの動力学回折
• 26a-S-11 吸収のある完全結晶からの回折 : Bragg Case の薄い結晶 II
• 26a-S-5 X線共鳴散乱ペンデル縞法によるGaAsの異常分散 II
• 29p-ZB-7 X線共鳴散乱ペンデル縞法によるGaAsのGa K吸収端近傍の異常分散
• 28a-L-7 吸収のある完全結晶からの回折理論の一般化
• 4a-NR-12 Si(111)7×7表面の角度分解エネルギー損失スペクトル
• 1a-N-5 阻止電位型分析器を用いたSi(111)面からの角度分解スペクトル
• 2p GK-11 Si表面からのLEED電子のエネルギースペクトル
• 3p-AC-12 MgO表面状態のイオン後方散乱による解析
• 5a-BK-8 単結晶表面から放出するオージェ電子収率の入射角依存性
• 5a-BK-2 Ge単結晶上に蒸着したCu,Auの結晶成長
• 1a-BF-11 二次電子スペクトルの微細構造の表面状態による変化
• 表面波共鳴 (表面の結晶学) -- (反射電子回折)
• 10p-T-3 100KeVプロトンによる表面チャネリングの角度依存性
• 6p-T-4 イオンチャンネリングの二次電子放出への影響
• 6a-L-12 表面波共鳴条件における二次電子放出の変化
• 7p-P-10 プロトンによる二次電子放射の入射方位依存性(II)
• 5a-P-2 Si(111)面の表面波共鳴条件における表面構造の観察
• 12a-J-5 表面波共鳴の過度依存性
• 6a-KE-10 表面レゾナンス條件での鏡面反射強度の温度依存性(MEED)
• 5a-H-10 ホモピタキシャル成長によるSi(111)面上の位相境界消滅機構
• 30a-E-12 WO_3系のEXAFS解析 II
• 27p-PSA-11 Ge/Ge(111)結晶成長シミュレーション
• 1p-KK-12 低速電子回折像の迅速測定I
• 30p-S-11 GaAs(100)面上MBE成長のAs/Ga供給比依存性
• 1p-M-5 WO_3系のEXAFS解析
• 21aWH-10 2つのナノ構造島成長過程のシミュレーション(表面界面ダイナミクス,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 29a-WB-6 Si(001)ホモエピタクシャル成長機構のシミュレーションによる解析
• 2a-M-10 LEED, EXAFS 領域の位相シフトと原子ポテンシャル
• 30p-N-9 多素子SSDによる吸収端の温度効果による回折強度変化の検出
• 4a-AD-7 GaAsのEXAFS解析
• 4a-AD-6 全反射法によるCu K吸収端近傍における異常散乱因子の測定
• 2a-BF-4 EXAFSのフーリエ変換における諸問題
• 28aTA-10 Si(100)面上の2次元島の消滅過程
• 23pTA-7 Si(100)面上の島の崩壊過程
• 27a-Q-7 強度比法による異常散乱因子の決定
• 5p-TA-5 温度変化によるペンデル縞
• 5p-TA-4 原子散乱因子の実数部がゼロにおける回折効果
• 1p-TJ-8 偏光によるペンデル縞
• 31p-BF-11 完全結晶のK吸収端近傍における回折強度変化と温度因子
• 23pXB-8 ステップ付近でのRHEED電子強度分布(23pXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26aRJ-5 RHEEDの表面原子位置に対する感度の理論的見積もり(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• 22aXJ-1 RHEED電子密度の入射角依存性(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
• A. Ichimiya and P. I. Cohen, Reflection High Energy Electron Diffraction, Cambridge Univ. Press, Cambridge, 2004, xi+353p, 25.3×17.8cm, 本体23,020円, [大学院向]
• 25aYH-4 Si(100)からの2次電子放出の表面再構成構造依存性(25aYH 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 27aYB-7 RHEED波動関数からみた表面プローブ深さの入射角依存性(27aYB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 22aYE-7 RHEED波動関数による二次電子収率角度依存性の解析(表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
• 26pXC-11 RHEED波動関数の表面局在(表面・界面構造(シリコン表面),領域9(表面・界面, 結晶成長))
• 28aWP-7 表面波共鳴条件下でのRHEED電子密度分布(表面界面構造(半導体))(領域9)
• 20pYD-14 Si(100) 面における 2 次元島崩壊中の表面拡散
• 表面におけるRHEED電子密度
• 31aWD-6 回折条件による RHEED 波動関数の表面局在の変化
• 28aZF-5 Si(100) 面上の温度勾配によるナノ構造形成 II
• Si(100)面上に形成された2次元島の崩壊における原子拡散
• 19pRH-2 Si(100)面上の2次元・3次元島の崩壊速度
• 24pPSA-53 Ge/Si(001)ヘテロエピタキシャル成長の動的モンテカルロシミュレーション
• Si(100)上のSiのMBEシミュレ-ション
• 3a-T-6 アニーリングによるSi(100)表面平坦化のモンテ・カルロ・シミュレーション
• 5a-E-3 ステップ表面からのRHEED強度計算
• 4p-NR-6 非対称カット表面からの反射電子回折強度計算
• 12p-DJ-5 アルカリ金属上のアルカリ金属吸着II : LiとNaの場合
• 27a-E-11 Li/Cu(001)系の表面構造
• 29a-PS-52 MBEモンテカルロシミュレーションにみる1成分系と2成分系の比較
• GaAsホモエピタキシャル成長におけるGaとAsの差 : シミュレーションによる研究
• SiとGaAs分子線エピタクシャル成長中のステップダイナミックス
• モンテカルロ・シミュレーションによるSi(100), GaAs(100)上の分子線エピタクシャル成長の比較
• Z. Zhang and M. G. Lagally, ed., Morphological Organization in Epitaxial Growth and Removal, World Scientific, Singapore, 1998, viii+498p., 22×15.5cm, 21,000円, [大学院向、専門書]
• 25aL-3 二次元エピタクシャル成長における表面での核形成
• 分子線エピタキシー成長中の表面原子配列-モンテカルロ・シミュレーションによる解析-
• 結晶成長中の表面原子過程のシミュレーション
• RHEED強度振動と結晶成長
• 28a-T-6 ヘテロエピタキシャル成長シミュレーションの開発
• 表面原子配列制御 : シミュレーションによるアプローチ
• 3a-J-13 RHEED強度の表面モフォロジー依存性
• 31p-S-11 MBE成長中Si(001)表面からのRHEED強度
• Si (100) 面のMBEシミュレーション
• 1p-G-5 Li/Cu(001)系のLEEDによる表面構造決定II
• 28a-Z-5 Li/Cu(001)系のLEEDによる表面構造決定 I

もっと見る 閉じる

スポンサーリンク