26pBD-6 直線偏光レーザーARPESを用いたトポロジカル絶縁体Cu_<0.17>Bi_2Se_3の表面電子状態の研究(26pBD トポロジカル絶縁体(超伝導体・相間効果・不純物効果),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

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概要

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• 2012-03-05

著者

• 辛 埴

  東大物性研

• 石田 行章

  東大物性研

• 渡部 俊太郎

  東大物性研

• Malaeb Walid

  東大物性研

• 菅藤 裕昭

  東大物性研

• 吉川 明子

  理研CERG

• 田口 康二郎

  理研CERG

• 近藤 猛

  東大物性研

• 十倉 好紀

  理研CERG

• 中島 祐貴

  東大物性研

• Chen Chuangtian

  中国科学院

• 十倉 好紀

  理研CERG:理研CMRG:東大工

• 辛 埴

  東大物性研:JST-CREST

• 田口 康二郎

  理研CERG:理研CMRG

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