駒形 栄一 | 東学大
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概要
関連著者
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駒形 栄一
東学大
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金沢 育三
東学大・物理
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小森 文夫
東大物性研
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福谷 克之
東京大学生産技術研究所
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金沢 育三
東京学芸大.物
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金沢 育三
東京学芸大学教育学部
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福谷 克之
東大生産技術研
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野沢 清和
東大物性研
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駒形 栄一
東京学芸大学物理
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福谷 克之
東大生研
著作論文
- 23aXB-11 低速陽電子を用いた水素吸着Ni(111)表面の水素吸着量の違いによる比較(23aXB 表面界面構造,領域9(表面・界面,結晶成長))
- 24aTD-4 低速陽電子ビームによるNi(111)水素吸着表面での再放出特性(領域10,領域9合同格子欠陥・ナノ構造(水素),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 26aYF-2 低速陽電子ビームを用いた温度の違いによるNi(111)表面への水素吸着の構造の比較(X線・粒子線(陽電子),領域10,誘電体,格子欠陥,X線・粒子線,フォノン物性)
- 21aEB-5 H^+照射により照射欠陥及び水素同時注入したB2型FeAlの低速陽電子ビーム測定(21aEB 放射線物理(照射効果),領域1(原子・分子,量子エレクトロニクス,放射線物理))