オンチップ高透過積層膜を有する紫外光高感度・高信頼性Siフォトダイオード(高機能イメージセンシングとその応用)
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概要
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紫外光帯域を含む広光波長帯域の光に対し高感度で,かつ経時的な感度劣化を生じないセンサ実現のために,高い内部量効率を得るフォトダイオード形成技術と,SiO_2と消衰係数の低いSiNから成るオンチップ高透過積層膜とを組み合わせたフォトダイオードの作製・評価を行った.本報告では,試作したフォトダイオードで紫外光に対し高い感度と高い耐性を得た結果を示し,また積層膜の構成や膜厚を制御することで,所望の波長帯域で高感度化できることを示す.
- 2013-05-24
著者
-
須川 成利
東北大学大学院工学研究科
-
黒田 理人
東北大学大学院工学研究科技術社会システム専攻
-
中尾 幸久
東北大学大学院工学研究科
-
黒田 理人
東北大学大学院工学研究科
-
中澤 泰希
東北大学大学院工学研究科
-
幸田 安真
東北大学大学院工学研究科
-
須川 成利
東北大学大学院 工学研究科
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